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WTC2302-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
供应商型号: WTC2302-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WTC2302-VB

WTC2302-VB概述


    产品简介


    N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 简介
    本产品为一款N沟道增强型功率场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode MOSFET),其漏极-源极额定电压(VDS)为20V,适用于各种电子电路设计。这款器件基于TrenchFET®技术,提供极低的导通电阻(RDS(on))和高效能开关能力,使其成为便携式设备和负载开关应用的理想选择。
    主要功能
    - 低导通电阻,适合高效开关应用。
    - 兼容无卤素制造标准,符合RoHS规范,绿色环保。
    - 极佳的热阻性能,确保在高温环境下稳定运行。
    应用领域
    - 直流-直流转换器(DC/DC Converter)。
    - 便携式设备中的负载开关。
    - 各种需要高效率和小尺寸解决方案的低压电力电子系统。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS 20 | V |
    | 漏极连续电流 | ID 6 | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.028 | 0.042 | 0.050 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | 865 14 | pF |
    | 输出电容 | Coss 105 pF |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | 1 | 10 μA |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |

    产品特点和优势


    特点
    1. 低导通电阻:RDS(on)在VGS=4.5V时仅为0.028Ω,保证了高效能的电流导通。
    2. 绿色环保设计:符合IEC 61249-2-21和RoHS标准,符合全球环保要求。
    3. 卓越的开关性能:总栅极电荷Qg低至8.8nC,减少开关损耗,提高整体系统效率。
    优势
    - 在相同条件下,可显著降低功耗,延长电池寿命。
    - TrenchFET®结构设计提升了击穿电压(BVDSS)并增强了热稳定性。
    - 出色的动态性能使其成为便携式设备和负载管理的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 便携式电源适配器:MOSFET作为负载开关,能够处理快速切换和高频操作需求。
    2. 微型逆变器:集成于小型化太阳能发电设备中,提供高效率能量转换。
    使用建议
    - 在使用过程中,注意散热设计,建议采用良好的PCB布局以减少寄生效应。
    - 结合低电压输入场景优化电路布局,避免过高功耗。
    - 定期检查环境温度,确保长期可靠运行。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 该产品完全兼容表面贴装技术(SMT),支持常见的FR4板安装方式。
    - 能够与其他主流品牌如Infineon、ON Semiconductor的产品互换使用,便于设计者替换升级。
    支持
    - 提供详尽的技术文档和客户支持服务。
    - 客户可通过服务热线400-655-8788获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度升高导致器件失效 | 使用外置散热片或优化散热设计 |
    | 开关损耗偏高 | 降低开关频率或优化驱动电路 |
    | 导通电阻偏大 | 检查VGS是否达到阈值要求 |

    总结和推荐


    综合评估
    WTC2304是一款高性能的N沟道MOSFET,凭借低导通电阻、绿色制造工艺和卓越的开关性能,在DC/DC转换器和便携式设备中表现出色。其设计紧凑且易于集成,能够显著提升整体系统的效率和可靠性。
    推荐结论
    强烈推荐WTC2304用于对功耗和效率要求较高的应用场合,特别是便携式电子设备、负载开关和微型逆变器等场景。此外,其出色的性价比和广泛的兼容性使其成为替代同类产品的重要选择。

WTC2302-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 6A
Vgs-栅源极电压 8V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

WTC2302-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WTC2302-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WTC2302-VB WTC2302-VB数据手册

WTC2302-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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