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K3617-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: K3617-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3617-VB

K3617-VB概述

    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    这款N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),特别适用于开关电源和其他高电流应用场合。它具有低导通电阻和优异的热稳定性,能够承受高温环境下的连续运行,使其成为现代电子系统中不可或缺的元件之一。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | - | 100 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | -20 | - | +20 | V |
    | 漏极连续电流 (TJ = 175 °C) | ID | 13 | - | 40 | A |
    | 漏极脉冲电流 | IDM | - | - | 40 | A |
    | 雪崩电流 | IAS | - | - | 3 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 18 | mJ |
    | 最大功率耗散 (TC = 25 °C) | PD | - | - | 96 | W |
    | 热阻(结至环境) | RthJA | - | 18 | 15 | °C/W |

    产品特点和优势


    - 高效能:采用先进的TrenchFET®技术,提供低导通电阻和快速开关速度,显著提升电路效率。
    - 高可靠性:耐受高达175 °C的结温,适合各种严苛的工作环境。
    - 设计优化:经过PWM优化设计,使其特别适合于功率转换和驱动电机等应用。
    - 符合RoHS标准:确保环保要求,适合各类现代电子产品应用。

    应用案例和使用建议


    该N-Channel 100 V MOSFET 主要应用于电力转换系统的初级侧开关,包括但不限于:
    - 开关电源
    - 驱动电机
    - 各类电力转换模块
    使用建议:
    - 在选择散热片时,应根据RthJA值考虑环境温度对散热的影响,以保证器件在正常工作范围内的稳定运行。
    - 在高频率开关的应用场合,需注意寄生电容对电路的影响,合理布局布线可减少寄生电感带来的负面影响。

    兼容性和支持


    该MOSFET设计为表面贴装元件,适用于常见的FR4电路板,尺寸符合行业标准。制造商提供详细的技术文档和客户支持,以帮助用户正确使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定散热器的大小?
    - 解决方案:参考产品手册中的热阻数据(RthJA),结合具体工作环境计算所需散热面积。
    2. 问题:高温环境下工作电流降低怎么办?
    - 解决方案:可以通过增加散热器或改善散热条件来降低结温,保持正常工作电流。
    3. 问题:如何防止过压损坏?
    - 解决方案:使用外部电路如TVS二极管进行保护,确保电压不超过最大额定值。

    总结和推荐


    总体来看,这款N-Channel 100 V MOSFET 具有出色的性能表现和广泛的适用性。其卓越的热稳定性、高可靠性和设计优化使其非常适合高功率和高频应用场合。鉴于其良好的性能和可靠性,强烈推荐给需要高性能功率MOSFET的工程师和技术人员使用。

K3617-VB参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 18A
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3617-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3617-VB数据手册

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K3617-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
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