处理中...

首页  >  产品百科  >  QM04N60F-VB

QM04N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: QM04N60F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM04N60F-VB

QM04N60F-VB概述

    QM04N60F N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    QM04N60F 是一款高电压 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电力转换和控制应用。它具备低栅极电荷、高可靠性和优异的电气特性,可广泛应用于开关电源、电机驱动器、逆变器和其他需要高效率和高性能的领域。

    技术参数


    - 基本特性:
    - 低栅极电荷 (Qg):减少驱动需求
    - 改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受性
    - 全面表征的电容和雪崩电压电流
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS):650 V
    - 栅源电压 (VGS):±30 V
    - 连续漏极电流 (ID):25 °C 时 3.8 A,100 °C 时 3.8 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):18 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):325 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):4 A
    - 重复雪崩能量 (EAR):6 mJ
    - 最大功耗 (PD):25 °C 时 30 W
    - 峰值二极管恢复 dV/dt:2.8 V/ns
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55 °C 到 +150 °C
    - 热阻:
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):65 °C/W
    - 最大结到外壳(漏极)热阻 (RthJC):2.1 °C/W
    - 电气规格:
    - 静态漏源击穿电压 (VDS):650 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2.0 - 4.0 V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):650 V 下 -25 µA
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):10 V 下 2.5 Ω
    - 输入电容 (Ciss):1080 pF
    - 输出电容 (Coss):1912 pF
    - 总栅电荷 (Qg):48 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):12 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):19 nC
    - 导通延迟时间 (td(on)):14 ns

    产品特点和优势


    QM04N60F 的特点包括:
    - 低栅极电荷:简化驱动电路设计,降低驱动功率损耗。
    - 高可靠性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受性,提高在恶劣环境下的可靠性。
    - 全面表征的电气特性:保证在不同条件下的稳定性能。
    - 环保:符合 RoHS 和无卤素标准,适用于绿色电子产品。

    应用案例和使用建议


    QM04N60F 广泛应用于多种场合,如开关电源、电机驱动器、逆变器等。在设计应用时,建议考虑以下几个方面:
    - 选择合适的驱动电路:确保驱动电路能够满足低栅极电荷的要求,减少驱动损耗。
    - 注意散热管理:由于其高功耗,需要合理的散热措施,避免过热损坏。
    - 优化 PCB 布局:尽量减少杂散电感和漏电流,提升系统整体性能。

    兼容性和支持


    QM04N60F 与市场上常见的驱动芯片兼容,建议使用具有高速开关特性的驱动器以充分发挥其性能。制造商提供详尽的技术支持文档和应用指南,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 确保良好的散热设计,合理使用散热片和散热器。 |
    | 驱动信号不稳定 | 检查驱动电路的设计,确保信号质量。 |
    | 寿命缩短 | 定期进行系统检查,更换老化或损坏的部件。 |

    总结和推荐


    QM04N60F 在设计上注重低功耗和高可靠性,特别适合于高电压和高功率的应用场合。其全面的电气特性表征和优秀的性能表现使其在市场上具有很强的竞争力。总体而言,这是一款值得推荐的产品,适合对性能和可靠性有较高要求的应用场合。

QM04N60F-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
配置 -
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM04N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM04N60F-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QM04N60F-VB QM04N60F-VB数据手册

QM04N60F-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 32.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336