处理中...

首页  >  产品百科  >  2SK2158-T2B-A-VB

2SK2158-T2B-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: 2SK2158-T2B-A-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2158-T2B-A-VB

2SK2158-T2B-A-VB概述


    产品简介


    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),适用于多种电子应用。这种器件通过沟槽结构(TrenchFET®)技术实现低导通电阻(RDS(on))和高开关速度,使其在驱动电路和电源转换领域具有卓越的表现。它主要应用于逻辑接口、驱动电路、电池供电系统以及固态继电器等领域。

    技术参数


    - 基本规格
    - 最大漏源电压(VDS):60V
    - 最小门限电压(VGS(th)):1V
    - 漏极连续电流(ID):250mA(TA = 25°C)
    - 最大门源电压(VGS):±20V
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 最大结温至环境温差(RthJA):350°C/W
    - 性能参数
    - 导通电阻(RDS(on)):2.8Ω(VGS = 10V, ID = 250mA)
    - 总栅极电荷(Qg):0.4-0.6nC(VDS = 10V, VGS = 4.5V, ID ≅ 150mA)
    - 输入电容(Ciss):25pF(VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 开启时间(td(on)):20ns(VDD = 30V, RL = 150Ω, ID ≅ 200mA, VGEN = 10V, RG = 10Ω)

    产品特点和优势


    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 具有多项显著的特点和优势:
    - 低阈值电压:典型值为2V,保证了较低的开启电压。
    - 低输入电容:25pF,提高了电路的开关速度。
    - 快速开关速度:25ns,使得它特别适合高频应用。
    - 低漏电:减少了功耗,提高了可靠性。
    - 符合环保标准:符合RoHS指令和无卤素要求,确保产品的可持续性。

    应用案例和使用建议


    这款MOSFET广泛应用于各种电子系统中,例如:
    - 逻辑接口:适用于TTL/CMOS等逻辑电路。
    - 驱动电路:用于控制继电器、电磁铁、灯泡、电机等。
    - 电池供电系统:适用于便携式电子设备。
    - 固态继电器:作为固态继电器的核心组件。
    使用建议:
    - 在选择合适的驱动电路时,应考虑输入电容和输出电容的影响,以减少信号失真。
    - 在高频应用中,注意开启时间和关断时间的影响,合理调整栅极电阻(RG)以优化性能。
    - 在高温环境中使用时,需注意散热设计,以避免过热损坏。

    兼容性和支持


    这款MOSFET 与大多数标准逻辑接口兼容,如TTL/CMOS接口。厂商提供详细的技术文档和支持,包括设计指南、测试报告和故障排除文档,以帮助用户更好地理解和使用该产品。如有需要,客户可以联系台湾VBsemi公司的客户服务热线进行进一步的技术咨询和售后支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的栅极电阻(RG)?
    - 解答:根据应用需求选择合适的RG值,一般情况下,RG应在10Ω到100Ω之间选择,以平衡开关速度和功耗。
    2. 问题:如何处理过热问题?
    - 解答:采用良好的散热设计,确保MOSFET的温度不超过最大允许值。在高功率应用中,可考虑使用散热片或散热器。
    3. 问题:如何确认产品是否符合RoHS标准?
    - 解答:查看产品手册或咨询供应商,确认产品符合相关环保标准。

    总结和推荐


    总体而言,N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 是一款性能优越、可靠性高的功率场效应晶体管,非常适合用于多种电子应用中。它的低导通电阻、快速开关速度和低输入电容使其成为理想的驱动器件。建议在设计逻辑接口、驱动电路、电池供电系统和固态继电器等应用时优先考虑这款产品。

2SK2158-T2B-A-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 300mA
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK2158-T2B-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2158-T2B-A-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2158-T2B-A-VB 2SK2158-T2B-A-VB数据手册

2SK2158-T2B-A-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
140+ ¥ 0.1945
300+ ¥ 0.1801
500+ ¥ 0.1729
3000+ ¥ 0.1657
库存: 400000
起订量: 140 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:140
合计: ¥ 27.23
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336