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KF5N50PZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: KF5N50PZ-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF5N50PZ-VB

KF5N50PZ-VB概述

    # KF5N50PZ N-Channel Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    基本介绍
    KF5N50PZ 是一款高性能的 N-Channel 功率 MOSFET,专为开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)以及高速功率转换应用设计。其具备低门极电荷(Qg)和高可靠性,适用于多种离线 SMPS 拓扑结构,如有源钳位正激电路和主开关。此产品以其出色的耐用性和卓越的电气性能而受到广泛认可。
    主要功能
    - 支持低门极电荷(Qg),降低驱动需求,简化电路设计。
    - 高度可靠的门极、雪崩和动态 dV/dt 特性。
    - 全面表征的电容值和雪崩电压、电流参数。
    应用领域
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 不间断电源(UPS)
    - 离线式 SMPS 拓扑(例如:有源钳位正激电路)

    2. 技术参数


    以下为 KF5N50PZ 的关键技术和性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 600 | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.780 | - | Ω |
    | 总门极电荷 | Qg | - | 49 | - | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1400 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 180 | - | pF |
    | 转移电容 | Crss | - | 7.1 | - | pF |
    其他关键参数还包括:
    - 最大连续漏极电流(TC = 25°C):8.0 A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):37 A
    - 最大结到环境热阻(RthJA):62 °C/W

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    1. 低门极电荷(Qg):大幅减少驱动需求,降低功耗并提高系统效率。
    2. 高可靠性:具备优越的门极、雪崩和动态 dV/dt 耐受能力,确保长期稳定运行。
    3. 全面表征的电学特性:提供详尽的电容、电压和电流特性数据,便于用户设计和调试。
    市场竞争力
    KF5N50PZ 在同类 N-Channel MOSFET 中表现出色,尤其适合对体积小巧、高效率要求的应用场景。其优异的雪崩耐久性和高精度的电学参数,使其成为高端电源管理系统的首选。

    4. 应用案例和使用建议


    实际应用场景
    KF5N50PZ 广泛应用于离线式开关电源中,例如:
    - 有源钳位正激电路:用于高效率的 AC/DC 转换器。
    - 主开关:适用于不间断电源(UPS)和电池充电器。
    使用建议
    1. 优化布局:为了减少寄生电感,建议在设计 PCB 时采用大面积接地平面,并尽量缩短连接走线长度。
    2. 门极驱动电路:使用低阻抗门极驱动器以减少开关损耗,同时选择合适的门极电阻(Rg)以限制 dV/dt。
    3. 散热设计:由于最高结温可达 150°C,建议合理选用散热器,以确保 MOSFET 工作在安全温度范围内。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    KF5N50PZ 具有良好的通用性,可与其他标准 TO-220AB 封装的 MOSFET 兼容。此外,它支持多种离线 SMPS 拓扑,适应广泛的电源设计需求。
    厂商支持
    - 客户可拨打服务热线 400-655-8788 获取技术支持。
    - 提供详细的规格文档和典型应用电路图,帮助用户快速上手。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 温度过高导致系统不稳定 | 增加散热片面积或优化 PCB 设计。 |
    | 开关频率过高引起功耗增加 | 降低开关频率或更换为更低功耗型号。 |
    | 雪崩电流测试失败 | 检查驱动电路参数是否符合要求。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    KF5N50PZ N-Channel Power MOSFET 以其低功耗、高可靠性和广泛适用性脱颖而出。其先进的制造工艺和全面的技术参数使它成为现代电源管理系统的核心组件。
    推荐意见
    强烈推荐 KF5N50PZ 用于需要高性能和高可靠性的开关电源和功率转换应用。对于追求极致效率和稳定性设计的工程师,这是一款不可或缺的优质选择。

    如有任何疑问,请联系服务热线:400-655-8788。

KF5N50PZ-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Id-连续漏极电流 8A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KF5N50PZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF5N50PZ-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KF5N50PZ-VB KF5N50PZ-VB数据手册

KF5N50PZ-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
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