处理中...

首页  >  产品百科  >  WFF8N60-VB

WFF8N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: WFF8N60-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFF8N60-VB

WFF8N60-VB概述

    WFF8N60 Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    WFF8N60 是一款高性能 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率电源转换应用设计。 其基本功能包括开关损耗低、传导损耗低、栅极电荷低等特性。 主要应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应系统(SMPS)、功率因数校正电源供应系统(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯 HID 和荧光灯)。此外,它还广泛用于工业应用。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源电压 VDS(最大值):650 V
    - 最大功耗 PD:150 W
    - 单脉冲雪崩能量 EAS:80 mJ
    - 最大结温 TJ:150 °C
    - 绝对最大漏源电压斜率 dV/dt:30 V/ns
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流 ID(TJ = 150 °C):40 A
    - 脉冲漏极电流 IDM:45 A
    - 电容参数:
    - 输入电容 Ciss:178 pF
    - 输出电容 Coss:156 pF
    - 反向转移电容 Crss:53 pF
    - 其他参数:
    - 总栅极电荷 Qg:57 nC
    - 有效输出电容 Co(tr):4.0 nF

    产品特点和优势


    - 低通态电阻 (RDS(on)): 在 VGS = 10 V 时的最大值为 178 mΩ(@ TJ = 25 °C),这使得其在开关损耗方面表现优异。
    - 低栅极电荷 (Qg): 仅为 57 nC,在高频开关应用中表现出色。
    - 低输入电容 (Ciss): 有助于减少开关损耗和提高系统效率。
    - 低雪崩能量 (EAS): 高可靠性设计,可承受瞬态过压情况下的冲击。
    - 宽工作温度范围: -55 °C 到 +150 °C,适用于严苛的环境条件。

    应用案例和使用建议


    1. 服务器和电信电源供应系统:
    - 在这类应用中,需要高效率和高可靠性的电源转换。WFF8N60 的低 RDS(on) 和低 Qg 特性可以显著降低损耗,提升效率。
    2. 开关模式电源供应系统 (SMPS):
    - SMPS 系统要求高效且快速响应的开关器件。WFF8N60 的低栅极电荷和快速开关时间非常适合这种应用。
    使用建议:
    - 在设计时,建议采用低杂散电感和接地平面布局,以减少寄生效应。
    - 选择合适的栅极驱动电阻,以确保快速可靠的开关操作。

    兼容性和支持


    - 兼容性: WFF8N60 与现有的大多数电源转换系统兼容,易于集成。
    - 技术支持: 提供详细的安装指南和技术支持,确保用户能够顺利地集成到他们的电路设计中。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关频率过高导致发热严重。
    - 解决方案: 调整栅极电阻值,减慢开关速度,降低损耗。
    2. 问题: 高温环境下性能下降。
    - 解决方案: 使用适当的散热片或热管进行散热,确保良好的热管理。
    3. 问题: 导致异常损坏。
    - 解决方案: 检查外部电路设计,避免异常电压或电流。

    总结和推荐


    WFF8N60 MOSFET 以其出色的性能和广泛的应用范围,成为高性能电源转换的理想选择。无论是服务器、电信系统还是工业应用,WFF8N60 都能提供卓越的效率和可靠性。强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的设计者和工程师。
    产品亮点

    总结

    :
    - 低 RDS(on)
    - 低栅极电荷 (Qg)
    - 宽工作温度范围 (-55 °C 到 +150 °C)
    综上所述,我们强烈推荐使用 WFF8N60 Power MOSFET。

WFF8N60-VB参数

参数
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 10A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFF8N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFF8N60-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFF8N60-VB WFF8N60-VB数据手册

WFF8N60-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 42.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336