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KDF60N02P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,42A,RDS(ON),6mΩ@4.5V,7.5mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.6~2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: KDF60N02P-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KDF60N02P-VB

KDF60N02P-VB概述

    KDF60N02P N-Channel 20-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    KDF60N02P 是一种 N 沟道 20-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力电子应用。该 MOSFET 利用了先进的 TrenchFET® 技术,保证了高效率和低损耗。主要应用于服务器电源管理、DC/DC 转换器及 OR-ing 应用中。它具有良好的热管理和可靠的性能,适用于需要高效能功率控制的应用。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 栅源电压 | VGS | 任意 | -12 | -12 | -12 | V |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS = 0 V | 20 | - | 20 | V |
    | 栅阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, IDS = 250 μA | 0.5 | - | - | V |
    | 零栅源电压漏极电流 | IDSS | VDS = 20 V, VGS = 0 V, TJ = 125°C | 50 | - | 150 | μA |
    | 漏极连续电流(TJ = 175°C) | ID | TC = 25°C | - | 100 | - | A |
    | 冲击漏极电流 | IDM | - | - | 260 | - | A |
    | 反复雪崩电流 | IAR | - | - | 35 | - | A |
    | 雪崩能量 | EAR | L = 0.1 mH | - | 45 | - | mJ |
    | 热阻,结到环境 | RthJA | PCB Mount (TO-263) | - | 40 | - | °C/W |
    | 热阻,结到环境 | RthJA | Free Air (TO-220AB) | - | 62.5 | - | °C/W |
    | 热阻,结到外壳 | RthJC | - | - | 1.25 | - | °C/W |

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:显著提高效率并降低损耗。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品的可靠性和稳定性。
    - RoHS 合规:满足环保要求,便于国际市场推广。

    应用案例和使用建议


    KDF60N02P 广泛应用于 OR-ing、服务器电源和 DC/DC 转换器。在这些应用中,它的低导通电阻和高可靠性使其成为理想的开关元件。为了优化性能,建议用户在使用时考虑散热措施,例如使用散热片,以减少热阻,提高工作温度范围内的稳定性。

    兼容性和支持


    KDF60N02P 与主流的 TO-220AB 封装相兼容,适用于多种电路板设计。VBsemi 公司提供全面的技术支持和售后保障,确保客户能够充分利用该产品的优势。

    常见问题与解决方案


    - Q: 在高温环境下工作时,KDF60N02P 的性能如何?
    - A: 该产品能够在 -55°C 至 175°C 的宽广温度范围内正常工作,但为确保最佳性能,建议在高温环境下采取适当的散热措施。

    - Q: 是否可以承受较大的瞬态电流冲击?
    - A: KDF60N02P 的最大冲击漏极电流为 260A,这表明它能够承受较强的瞬态电流冲击,但需注意散热和保护电路的设计。

    总结和推荐


    KDF60N02P N-Channel 20-V MOSFET 凭借其卓越的性能、可靠性和广泛的应用范围,在现代电力电子应用中表现出色。通过采用 TrenchFET® 技术,其具备出色的热管理和高效率的特点,特别适合于服务器电源和 DC/DC 转换器等应用场景。强烈推荐在相关应用中使用此产品,它将极大提升系统的整体性能和可靠性。
    如需进一步技术支持,请联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

KDF60N02P-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@4.5V,7.5mΩ@2.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 42A
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 600mV~2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KDF60N02P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KDF60N02P-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KDF60N02P-VB KDF60N02P-VB数据手册

KDF60N02P-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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