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9973GS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: 9973GS-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9973GS-VB

9973GS-VB概述


    产品简介


    9973GS-VB N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
    9973GS-VB是一款来自VBsemi的N沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品以其表面贴装设计和高可靠性而著称,适用于各种高功率应用场合。9973GS-VB具备低栅极电荷、快速开关时间和出色的动态dv/dt性能,是开关电源、马达驱动和逆变器等应用的理想选择。

    技术参数


    以下是9973GS-VB的关键技术参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 60 V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±10 V
    - 连续漏极电流 \(ID\): 50 A(在 \(TC\) = 25 °C)
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 400 mJ
    - 最大功耗 \(PD\): 150 W(在 \(TC\) = 25 °C)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\): 60 V
    - 栅源阈值电压 \(V{GS(th)}\): 1.0 ~ 3.0 V
    - 零栅压漏极电流 \(I{DSS}\): -25 μA(\(V{DS}\) = 60 V)
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - 在 \(V{GS} = 10\) V时为0.032 Ω
    - 在 \(V{GS} = 4.5\) V时为0.035 Ω
    - 动态参数
    - 输入电容 \(C{iss}\): 3000 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\)
    - 反向转移电容 \(C{rss}\)
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 66 nC
    - 门极到源极电荷 \(Q{gs}\)
    - 门极到漏极电荷 \(Q{gd}\)

    产品特点和优势


    1. 表面贴装设计:便于自动化生产和组装。
    2. 低导通电阻:0.032 Ω (在 \(V{GS}\) = 10 V) 和 0.035 Ω (在 \(V{GS}\) = 4.5 V),适合需要高效能的应用。
    3. 快速开关:具有逻辑电平栅极驱动能力,开关时间短。
    4. RoHS和无卤素认证:符合环保标准。
    5. 动态dv/dt性能:能够承受高动态dv/dt,适合恶劣环境下的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源
    - 马达驱动
    - 逆变器
    - 工业控制电路
    使用建议:
    - 确保正确的散热设计以避免过热。
    - 使用合适的电路布局以减少寄生电感的影响。
    - 考虑环境温度对MOSFET性能的影响,特别是长期工作时。

    兼容性和支持


    - 兼容性:9973GS-VB采用D2PAK封装,可与多种板载组件兼容。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档和指导,以及客户支持服务。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何判断MOSFET是否过热?
    - A: 观察MOSFET的温度,使用热像仪检查温度分布,确保不超过最大额定值。
    2. Q: 如何降低寄生电感的影响?
    - A: 优化电路布局,尽量缩短门极引线,增加接地平面面积,减少走线长度。
    3. Q: 如何确保MOSFET的可靠性和稳定性?
    - A: 严格按照数据手册中的电气特性进行设计和测试,确保在最大工作条件下的稳定运行。

    总结和推荐


    9973GS-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种高功率应用场合。其低导通电阻、快速开关时间和优异的耐温特性使其在市场上具备较高的竞争力。综上所述,强烈推荐这款产品用于各类需要高效能、可靠性的应用。

9973GS-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 40A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

9973GS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9973GS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9973GS-VB 9973GS-VB数据手册

9973GS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 2.419
800+ ¥ 2.3183
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