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IRFR320B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) \n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: IRFR320B-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR320B-VB

IRFR320B-VB概述

    IRFR320B N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRFR320B 是一款 N-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要适用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他电力电子系统中。这款 MOSFET 具有低门极电荷、增强的门极、雪崩和动态 dv/dt 耐久性等特点,符合 RoHS 指令。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):650 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):10 V 时 0.95 Ω
    - 最大总门极电荷 (Qg):15 nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs):3 nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd):6 nC
    - 封装配置:单个
    - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 最大峰值二极管恢复 dv/dt:4.5 V/ns

    产品特点和优势


    - 低门极电荷:低 Qg 使得驱动要求简化,降低了功耗。
    - 高可靠性:具备改善的门极、雪崩和动态 dv/dt 的耐用性,提高了产品可靠性。
    - 全面的电容和雪崩特性:完全标定的电容和雪崩电压及电流,确保了性能的一致性。
    - 环保合规:符合 RoHS 指令,适用于现代电子产品。

    应用案例和使用建议


    IRFR320B 可广泛应用于需要高压和高电流控制的场景,例如电机驱动、逆变器和电源管理单元。以下是一些具体的应用案例和使用建议:
    - 电机驱动:在电机驱动应用中,IRFR320B 可以提供高效的能量转换和精确的控制,从而延长电机寿命并提高效率。
    - 电源管理:在电源管理系统中,IRFR320B 的高可靠性和低导通电阻有助于提高系统的稳定性和能效。
    - 建议:为确保最佳性能,建议在应用中使用低杂散电感和良好的接地平面设计。此外,选择合适的栅极电阻值可以进一步优化开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRFR320B 支持标准的 TO-220AB 封装,可与其他类似的 MOSFET 设备兼容。
    - 支持:制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括详细的电路图和热阻抗数据,帮助客户在设计过程中进行参考。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何计算最佳的栅极电阻?
    - 解答:根据应用需求和门极电荷特性,可以选择适当的栅极电阻值。一般情况下,较小的栅极电阻会降低开关时间但增加损耗,而较大的栅极电阻则相反。
    - 问题:在高电流应用中,如何避免过热?
    - 解答:采用良好的散热设计,如加装散热片或使用水冷系统,同时确保电路设计中有足够的冗余功率来处理瞬态峰值电流。

    总结和推荐


    IRFR320B N-Channel MOSFET 是一款高性能的电子元件,适用于多种高压和高电流应用。其卓越的性能指标、良好的耐用性和全面的支持使其成为市场上极具竞争力的产品。建议在需要高效、可靠电力转换的应用中选用此产品。
    如果您对 IRFR320B 有任何疑问或需要进一步的技术支持,欢迎联系我们的服务热线:400-655-8788。

IRFR320B-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 5A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR320B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR320B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR320B-VB IRFR320B-VB数据手册

IRFR320B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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