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UPA1913TE-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: UPA1913TE-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1913TE-VB

UPA1913TE-VB概述

    P-Channel 30-V MOSFET UPA1913TE 技术手册

    产品简介


    UPA1913TE 是一款采用 TrenchFET® 技术的高性能 P 沟道 30-V MOSFET。这种 MOSFET 具有低导通电阻(RDS(on))和较高的电流处理能力,适用于多种负载开关应用场景。本产品通过无卤材料认证(IEC 61249-2-21),符合环保标准,适合在各种工业及消费电子产品中使用。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 额定功率耗散 \( PD \):
    - 在 \( TC = 25^\circ \text{C} \): 3.0 W
    - 在 \( TC = 70^\circ \text{C} \): 2.0 W
    - 最大连续漏极电流 \( ID \):
    - 在 \( TC = 25^\circ \text{C} \): 4.8 A
    - 在 \( TC = 70^\circ \text{C} \): 4.1 A
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 20 A
    - 静态参数:
    - 击穿电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = -10 \text{V}, ID = -4.1 \text{A} \): 0.049 Ω
    - 在 \( V{GS} = -4.5 \text{V}, ID = -1.0 \text{A} \): 0.054 Ω
    - 动态参数:
    - 总门电荷 \( Qg \):
    - 在 \( V{DS} = -15 \text{V}, V{GS} = -10 \text{V}, ID = -4.1 \text{A} \): 10 nC
    - 在 \( V{DS} = -15 \text{V}, V{GS} = -4.5 \text{V}, ID = -4.1 \text{A} \): 5.1 nC
    - 门极电荷 \( Q{gs} \): 1.8 nC
    - 栅极到漏极电荷 \( Q{gd} \): 2.5 nC

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:\( R{DS(on)} \) 最小值为 0.049 Ω(在 \( V{GS} = -10 \text{V}, ID = -4.1 \text{A} \) 时),这使得该 MOSFET 在高电流下仍能保持较低的功耗。
    2. 快速开关性能:门电荷低(\( Qg \) 小于 10 nC),使开关速度更快,减少热损耗。
    3. 高可靠性:采用无卤材料设计,符合 IEC 61249-2-21 标准,提高产品的环保性能和长期可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 负载开关
    - 电源管理电路
    - 续流二极管
    使用建议:
    - 在选择使用时,应确保驱动电路能够提供适当的负栅极电压以保证 MOSFET 正常工作。
    - 使用散热片可以有效降低 MOSFET 的温升,提高可靠性。
    - 对于负载开关应用,需考虑电路中的其他元器件(如续流二极管)与 MOSFET 的匹配,避免过高的反向恢复电压造成损坏。

    兼容性和支持


    UPA1913TE 与大多数标准负载开关应用中的其他电子元器件兼容。厂商提供详细的技术文档和支持,包括应用指南和故障排除手册,用户可通过官方网站或技术支持热线获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET 发热严重。
    - 解决方案:增加散热片或改进散热设计,确保 MOSFET 工作在允许的温度范围内。
    2. 问题:MOSFET 开关频率不稳定。
    - 解决方案:检查驱动电路,确保驱动信号波形正常,且电源稳定性足够。
    3. 问题:MOSFET 导通电阻异常。
    - 解决方案:检查栅极驱动电压是否正确,确保 MOSFET 工作在合适的 \( V{GS} \) 下。

    总结和推荐


    UPA1913TE 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,具有低导通电阻、快速开关性能和高可靠性。其广泛的应用范围使其成为许多负载开关和电源管理电路的理想选择。对于需要高可靠性和环保性能的应用,推荐使用该产品。不过,在实际应用中,用户仍需仔细阅读并遵循技术手册中的注意事项,以确保产品的最佳性能和寿命。

UPA1913TE-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 4.8A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1913TE-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1913TE-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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UPA1913TE-VB封装设计

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