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NVD3055-094T4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252\n适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
供应商型号: NVD3055-094T4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NVD3055-094T4G-VB

NVD3055-094T4G-VB概述


    产品简介


    本产品是一款N沟道增强型MOSFET(场效应晶体管),型号为NVD3055-094T4G。它采用TrenchFET®技术,具有高耐热性能,最高可达175°C的结温。这种类型的电子元器件广泛应用于电源管理、电机控制、LED驱动等领域。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源击穿电压(VDS):60V
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流(ID):25°C时为100A
    - 脉冲漏极电流(IMD):100A
    - 电阻参数:
    - 导通电阻(RDS(on)):在VGS = 10V时为0.010Ω,在VGS = 4.5V时为0.013Ω
    - 功率参数:
    - 最大功率耗散(PD):25°C时为136W
    - 温度参数:
    - 结温范围(TJ, Tstg):-55°C至175°C
    - 热阻参数:
    - 最大结-环境热阻(RthJA):稳态为40°C/W,瞬态为15°C/W
    - 最大结-壳热阻(RthJC):0.85°C/W

    产品特点和优势


    1. 高温稳定性:能够在高达175°C的环境中正常工作,适合在极端环境下应用。
    2. 低导通电阻:在10V栅极电压下,导通电阻仅为0.010Ω,确保高效能的电流导通。
    3. 快速开关性能:良好的动态性能指标如总门电荷(Qg)和上升时间(tr),确保开关过程迅速且高效。
    4. 高可靠性:通过严格的绝对最大额定值测试,保证在极端条件下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在开关电源中作为开关元件,实现高效的能量转换。
    - 在电机驱动电路中作为驱动元件,实现精确的速度控制。
    使用建议:
    - 使用时应确保外部散热措施有效,以保持良好的热稳定性。
    - 在选择栅极驱动电阻时,要根据实际需求进行调整,以保证开关速度和效率。

    兼容性和支持


    本产品采用TO-252封装,适用于标准表面贴装工艺。厂商提供详尽的技术支持和应用指南,确保客户能够顺利集成到自己的系统中。

    常见问题与解决方案


    问题1:长时间工作后,发现器件温度过高。
    解决方案:增加外部散热措施,如使用散热片或强制风冷,以确保器件在安全的工作温度范围内。
    问题2:无法实现预期的开关速度。
    解决方案:检查栅极驱动电阻的大小,适当减小电阻以加快开关速度;同时确保栅极驱动信号足够强。

    总结和推荐


    综上所述,NVD3055-094T4G是一款高性能的N沟道MOSFET,具备优秀的高温稳定性和低导通电阻。其广泛的应用范围和卓越的性能使其成为电源管理和电机控制等领域的理想选择。我们强烈推荐这一产品给需要高效能、高可靠性的工程师和技术人员。

NVD3055-094T4G-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 60A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.87V
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,11mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NVD3055-094T4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NVD3055-094T4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NVD3055-094T4G-VB NVD3055-094T4G-VB数据手册

NVD3055-094T4G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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