处理中...

首页  >  产品百科  >  K3133-VB

K3133-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252\n该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: K3133-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3133-VB

K3133-VB概述

    # N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能的电源管理组件。该产品采用先进的TrenchFET®技术制造,能够提供出色的导通电阻和电流承载能力。这款MOSFET主要应用于OR-ing(隔离二极管)、服务器以及DC/DC转换器等场合。

    技术参数


    - 工作电压: VDS(漏源电压)= 30V
    - 连续漏极电流:
    - TA = 25°C 时,ID = 25.8A
    - TA = 70°C 时,ID = 22A
    - 脉冲漏极电流: IDM = 250A
    - 单脉冲雪崩能量: EAS = 94.8mJ
    - 最大功率耗散:
    - TC = 25°C 时,PD = 205W
    - TC = 70°C 时,PD = 135W
    - 最大接面到环境热阻: RthJA ≤ 40°C/W
    - 阈值电压范围: 1.0V ≤ VGS(th) ≤ 2.5V
    - 栅源电容: Ciss ≤ 525pF
    - 总栅电荷: Qg = 61nC(VDS = 15V,VGS = 10V)

    产品特点和优势


    1. 高性能: 采用TrenchFET®技术,确保了低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力。
    2. 可靠性: 100% Rg和UIS测试通过,保证产品的可靠性和稳定性。
    3. 环境友好: 符合RoHS指令2011/65/EU,适用于环保要求较高的场合。
    4. 多用途: 可广泛应用于OR-ing、服务器和DC/DC转换器等领域,具有很强的应用灵活性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该产品可应用于多种场景,例如服务器电源的DC/DC转换器中。由于其出色的热管理和较低的导通电阻,能够在高温环境下稳定运行,降低能耗和发热。
    使用建议
    1. 在使用时应考虑散热设计,特别是高电流情况下的温度控制。
    2. 确保电路板布局合理,避免因信号干扰引起性能下降。
    3. 针对不同应用,调整栅极驱动电压以优化性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 本产品与标准的TO-252封装兼容,易于集成到现有电路中。
    - 支持: 厂商提供全面的技术支持和维护服务,确保用户能够充分利用该产品的性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 产品发热严重。
    - 解决方案: 检查散热设计,增加散热片或采用更高效的散热方式。
    2. 问题: 导通电阻增大。
    - 解决方案: 检查连接质量和驱动电压是否正确。
    3. 问题: 产品寿命缩短。
    - 解决方案: 检查使用环境,避免长期过载运行,定期维护。

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 30-V MOSFET凭借其出色的性能、可靠的使用特性和广泛应用的适用性,是一款值得推荐的产品。对于需要高效、稳定的电源管理解决方案的应用场合,这款MOSFET无疑是一个理想的选择。

K3133-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 60A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3133-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3133-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3133-VB K3133-VB数据手册

K3133-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
库存: 400000
起订量: 20 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 27.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504