处理中...

首页  >  产品百科  >  PSMN2R0-30BL-VB

PSMN2R0-30BL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8Vth(V) 封装:TO263适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和太阳能逆变器等领域。
供应商型号: PSMN2R0-30BL-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PSMN2R0-30BL-VB

PSMN2R0-30BL-VB概述

    N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET 是一款高性能的电子元器件,采用 TrenchFET® 技术制造。主要应用于 OR-ing(或逻辑门)、服务器以及直流到直流转换等领域。它具备高可靠性、低导通电阻(RDS(on))和良好的热性能,适用于各种功率管理和开关电路设计。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):30 V
    - 连续漏极电流 (ID):150 A (TJ = 175 °C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):39 A
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS):94.8 mJ
    - 最大电源耗散 (PD):250 W (TC = 25 °C),175 W (TC = 70 °C)
    - 热阻抗 (RthJA):32-40 °C/W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55 至 175 °C
    - 漏源击穿电压 (VDS):30 V (VGS = 0 V, ID = 250 µA)
    - 阈值电压 (VGS(th)):1.5-2.5 V (VDS = VGS, ID = 250 µA)
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):0.0023 Ω (VGS = 10 V, ID = 38.8 A)

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽栅结构,显著降低导通电阻和提高效率。
    2. 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品质量和可靠性。
    3. 符合 RoHS 指令:绿色环保,满足欧洲环保标准。
    4. 宽工作温度范围:可在极端环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    N-Channel 30-V MOSFET 可广泛应用于 OR-ing 电路、服务器电源管理及直流到直流转换等领域。为了优化性能,建议在使用时注意以下几点:
    - 确保散热良好,避免因过热导致损坏。
    - 注意连接方式,尽量减少寄生电感和电容的影响。
    - 在高功率应用中,考虑外部散热措施,如散热片或散热风扇。

    兼容性和支持


    N-Channel 30-V MOSFET 与标准 D2PAK 封装兼容,适用于大多数现有电路板设计。厂商提供详细的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中能够获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题:
    - 解决方案:使用合适的散热装置,确保良好的空气流通。
    2. 漏电流过大:
    - 解决方案:检查电路设计,确保接线正确,避免不必要的接触。
    3. 无法正常工作:
    - 解决方案:检查电源电压和控制信号,确保输入条件符合要求。

    总结和推荐


    N-Channel 30-V MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,具有优异的导电特性和耐高温能力。其广泛的适用范围和稳定的性能使其成为电力管理和开关电路的理想选择。强烈推荐在需要高效率和稳定性的应用中使用此产品。

PSMN2R0-30BL-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 180A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

PSMN2R0-30BL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PSMN2R0-30BL-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 PSMN2R0-30BL-VB PSMN2R0-30BL-VB数据手册

PSMN2R0-30BL-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
800+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 800
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831