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65F6950-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: 65F6950-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 65F6950-VB

65F6950-VB概述


    产品简介


    本产品是一款适用于高压环境的N沟道MOSFET(场效应晶体管),型号为65F6950。它主要用于高功率转换、逆变器和其他需要高性能驱动能力的应用场景。该MOSFET具有低门极电荷、高抗瞬态能力和全面表征的电容和雪崩电压电流特性,能够满足严格的RoHS(有害物质限制)标准。

    技术参数


    - VDS(耐压): 650V
    - RDS(on)(导通电阻)@ VGS=10V: 0.95Ω
    - Qg(总栅极电荷)@ VGS=10V: 15nC
    - Qgs(栅源电荷): 3nC
    - Qgd(栅漏电荷): 6nC
    - 封装配置: 单个封装
    - RoHS合规: 符合RoHS标准
    - 绝对最大额定值:
    - VDS(最大耐压): 650V
    - VGS(最大门极电压): ±30V
    - 连续漏极电流(TC=25°C): 5A
    - 单脉冲雪崩能量: 120mJ
    - 最高功耗(TC=25°C): 205W
    - 最大峰值二极管恢复dv/dt: 4.5V/ns
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C到+150°C

    产品特点和优势


    - 低门极电荷: 低门极电荷减少了驱动要求,简化了驱动电路的设计。
    - 增强的抗瞬态能力: 改善了门极、雪崩和动态dv/dt的鲁棒性。
    - 全面表征: 完全表征了电容和雪崩电压电流。
    - 环保合规: 符合RoHS指令,适用于环保要求较高的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源管理: 在电源管理系统中,65F6950可以用于高效转换器和逆变器。
    - 工业控制: 适用于需要高功率和高可靠性的工业控制系统。
    使用建议:
    - 热管理: 由于功耗较高,建议在设计散热系统时考虑其散热需求。
    - 驱动电路设计: 由于门极电荷较低,可以选择较简单的驱动电路以降低成本和复杂性。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品采用TO-220AB、TO-252等标准封装,适用于各种常见的插件安装和焊接应用。
    - 支持: 制造商提供了详细的技术文档和支持,帮助用户快速了解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中出现过高的瞬态电压。
    - 解决方案: 检查驱动电路的设置,确保门极电阻选择合适且驱动波形无畸变。
    - 问题: 高温下电流输出不稳定。
    - 解决方案: 检查并改善散热系统,确保工作温度不超过最大额定值。

    总结和推荐


    65F6950是一款适用于高功率转换应用的N沟道MOSFET,其低门极电荷和高抗瞬态能力使其成为高压电源管理系统的理想选择。虽然其最大功耗和工作温度范围需要特别注意,但在合理的设计和热管理措施下,该产品能够在众多应用场景中表现出色。因此,我强烈推荐这款产品给需要高性能和高可靠性电子设备的工程师们。

65F6950-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 5A
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

65F6950-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

65F6950-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 65F6950-VB 65F6950-VB数据手册

65F6950-VB封装设计

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