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JCS2N65FB-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: JCS2N65FB-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS2N65FB-O-F-N-B-VB

JCS2N65FB-O-F-N-B-VB概述

    JCS2N65FB-O-F-N-B-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    JCS2N65FB-O-F-N-B-VB 是一款由VBsemi公司生产的N-Channel 650V(D-S)功率MOSFET。该器件采用TO-220 FULLPAK封装形式,具备低门极电荷(Qg)、坚固的门极、雪崩及动态dv/dt特性,使其适用于各种电源管理和驱动应用。

    2. 技术参数


    - 主要技术规格
    - 最大漏源电压(VDS):650V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.0 - 4.0V
    - 最大连续漏电流(ID):1.28A @ TC=100°C
    - 最大脉冲漏电流(IDM):8A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):165mJ
    - 最大重复雪崩电流(IAR):2A
    - 最大重复雪崩能量(EAR):6mJ
    - 有效输出电容(Coss eff.):- 至 26pF @ VDS=520V
    - 总栅电荷(Qg):11nC @ VGS=10V
    - 门极-源极电荷(Qgs):2.3nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):5.2nC
    - 环境参数
    - 工作温度范围:-55°C至+150°C
    - 存储温度范围:-55°C至+150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷:JCS2N65FB-O-F-N-B-VB具有低门极电荷(Qg),这意味着驱动要求简单,有助于降低功耗并提高效率。
    - 高可靠性:通过改进的门极、雪崩和动态dv/dt坚固性,提高了器件的整体可靠性。
    - 全面认证:该器件符合RoHS标准,适用于环保和安全要求高的应用场景。
    - 稳定性和热管理:具有良好的热稳定性和热管理能力,确保在高温环境下也能保持正常运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - 电源转换器
    - 驱动电路
    - 照明系统
    - 电动工具
    - 使用建议:
    - 在设计电源转换器时,考虑到JCS2N65FB-O-F-N-B-VB的最大功率损耗(PD)为25W,需要确保散热良好。
    - 使用过程中,注意控制栅源电压不超过±30V,避免损坏器件。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - JCS2N65FB-O-F-N-B-VB可与其他符合TO-220 FULLPAK封装标准的器件兼容。

    - 技术支持:
    - VBsemi公司提供详尽的技术文档和在线支持,包括热管理指南、应用电路设计参考等资源。
    - 客户可以通过服务热线400-655-8788获取更多信息和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的漏极电流导致器件过热。
    - 解决方案:使用外部散热片或风扇加强散热,确保工作温度在规定范围内。
    - 问题2:门极电荷过高导致驱动困难。
    - 解决方案:选择合适的驱动电路和电阻值,确保Qg和Qgd在推荐范围内。

    7. 总结和推荐


    综上所述,JCS2N65FB-O-F-N-B-VB是一款高性能的N-Channel MOSFET,具备低门极电荷、高可靠性和出色的热管理能力。适用于多种电源管理和驱动应用。VBsemi公司的技术支持和文档资料齐全,能够帮助客户更好地理解和使用该产品。因此,我们强烈推荐该产品用于需要高效率和高可靠性的应用场景。

JCS2N65FB-O-F-N-B-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 2A
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS2N65FB-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS2N65FB-O-F-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS2N65FB-O-F-N-B-VB JCS2N65FB-O-F-N-B-VB数据手册

JCS2N65FB-O-F-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
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