处理中...

首页  >  产品百科  >  JCS730F-VB

JCS730F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: JCS730F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS730F-VB

JCS730F-VB概述

    JCS730F-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    JCS730F-VB 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于多种电源管理和照明系统。该产品以其低导通电阻和高能效著称,特别适用于服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及高亮度放电(HID)和荧光灯照明系统等领域。

    技术参数


    以下是 JCS730F-VB 的关键技术和性能参数:
    - 电压额定值:
    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 绝对最大值:漏源电压 (VDS) 650V,栅源电压 (VGS) ±30V
    - 电流和功率参数:
    - 连续漏极电流 (ID):在 TJ = 150°C 时为 40A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):87mJ
    - 最大功率耗散 (PD):取决于散热条件
    - 电气特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10V、ID = 4A 时典型值为 0.17Ω
    - 输入电容 (Ciss):在 VGS = 0V、VDS = 100V、f = 1MHz 下测得
    - 输出电容 (Coss) 和反向传输电容 (Crss):根据应用需求选择
    - 热阻抗:
    - 最大结点到环境热阻 (RthJA):63°C/W
    - 最大结点到外壳热阻 (RthJC):0.6°C/W
    - 工作温度范围:
    - 结点和存储温度范围:-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    JCS730F-VB 的主要特点是低通态电阻和低输入电容,这使其具有较低的开关损耗和传导损耗。这些特性使该 MOSFET 在高效率应用中表现出色,特别是在要求严格能耗管理的场合。此外,它还具备重复冲击能力和高可靠性,使其适用于严苛的应用环境。

    应用案例和使用建议


    JCS730F-VB 主要用于服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及 HID 和荧光灯照明系统等应用。对于服务器和电信电源供应,建议采用先进的热管理策略以确保长期稳定运行。在 HID 和荧光灯照明系统中,可以通过精确的驱动电路控制来优化光输出和能效。

    兼容性和支持


    JCS730F-VB 可以与其他标准电源和照明系统兼容。制造商提供了详细的技术文档和客户服务支持,以帮助客户进行集成和调试。如有需要,可以联系服务热线 400-655-8788 获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    常见的问题及其解决方案包括:
    - 问题:电源转换过程中效率降低
    - 解决方案:检查并优化系统散热设计,确保 MOSFET 在安全的工作范围内运行。
    - 问题:过热保护启动频繁
    - 解决方案:检查电路连接和布局,确保合理的走线设计和散热措施。

    总结和推荐


    总体而言,JCS730F-VB 是一款高效且可靠的 MOSFET,适合在多种高要求应用中使用。其低导通电阻和低输入电容特性显著提高了系统的能效和可靠性。因此,强烈推荐在涉及高能效要求的应用中使用此产品。对于需要进行电源管理或照明系统优化的设计者来说,JCS730F-VB 是一个理想的选择。

JCS730F-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 10A
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS730F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS730F-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS730F-VB JCS730F-VB数据手册

JCS730F-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 42.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504