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IPP126N10N3 G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V)封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: IPP126N10N3 G-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP126N10N3 G-VB

IPP126N10N3 G-VB概述

    IPP126N10N3 G-VB 技术手册解析

    产品简介


    IPP126N10N3 G-VB 是一款由VBsemi生产的N沟道功率MOSFET器件。其核心特性是采用TrenchFET技术,具有高耐热性能(最大结温可达175°C),符合RoHS指令要求。这款产品适用于广泛的工业、汽车和消费电子应用领域。

    技术参数


    IPP126N10N3 G-VB 的技术参数包括以下几个关键点:
    - 工作电压:最大漏源电压为100V。
    - 电流参数:连续漏极电流(TJ = 150°C)在室温下为100A,最高脉冲漏极电流为300A。
    - 热阻抗:自由空气下的热阻抗为62.5°C/W,而PCB安装时的热阻抗为40°C/W。
    - 其他特性:保证设计中的单脉冲雪崩能量高达280mJ,零门极电压下的漏电流在TJ = 125°C和TJ = 175°C时分别为50μA和250μA。
    - 静态特性:在VGS = 10V时的导通电阻为0.009Ω,VGS = 4.5V时的导通电阻为0.020Ω。

    产品特点和优势


    IPP126N10N3 G-VB 的主要特点是其TrenchFET技术,提供更低的导通电阻和更高的耐热性能。其工作温度范围广泛(-55°C至175°C),使其非常适合在高温环境下工作的应用。此外,该器件的高雪崩能力和低泄漏电流确保了在极端条件下的可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    IPP126N10N3 G-VB 在多种应用场景中表现出色。例如,在电动工具、电源转换器、逆变器和其他需要高效能、高可靠性的系统中,它可以作为开关元件。为了最大化其性能,建议使用散热良好的电路板设计,并确保适当的散热措施,以避免过热。

    兼容性和支持


    IPP126N10N3 G-VB 支持标准的TO-220AB封装,这使得它易于集成到现有的电路板设计中。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括产品文档、样品和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备在高电流条件下无法正常工作。
    - 解决方案:检查电路设计,确保使用足够的散热装置,并重新校准电源供应。
    - 问题2:器件在高温环境下表现不佳。
    - 解决方案:考虑使用更大尺寸的散热片或者水冷系统来降低温度。
    - 问题3:设备启动时出现不稳定现象。
    - 解决方案:检查启动电容和输入电压,确保电压稳定并符合器件要求。

    总结和推荐


    总体而言,IPP126N10N3 G-VB 是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,特别适合于需要高温环境工作的应用场景。其卓越的热管理和稳定的电气性能使它成为众多工业和汽车应用的理想选择。我们强烈推荐该产品给寻求高质量、高可靠性的电子元器件的应用工程师们。

IPP126N10N3 G-VB参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 100A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ(mΩ)
通道数量 1
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP126N10N3 G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP126N10N3 G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP126N10N3 G-VB IPP126N10N3 G-VB数据手册

IPP126N10N3 G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
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