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2SK2097-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: 2SK2097-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2097-VB

2SK2097-VB概述


    产品简介


    2SK2097-VB是一款N沟道650V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种高压电源转换和电机控制等领域。它具有低导通电阻(RDS(on))和快速开关速度的特点,特别适用于需要高效率和紧凑设计的应用场景。

    技术参数


    - 基本参数
    - VDS (漏源电压):650 V
    - RDS(on) (漏源导通电阻):10 V时为2.5 Ω
    - Qg (最大总栅极电荷):48 nC
    - Qgs (栅源电荷):12 nC
    - Qgd (栅漏电荷):19 nC
    - 配置:单个
    - 绝对最大额定值
    - VGS (栅源电压):±30 V
    - ID (连续漏极电流):10 V时为3.8 A
    - IDM (脉冲漏极电流):18 A
    - EAS (单脉冲雪崩能量):325 mJ
    - EAR (重复雪崩能量):6 mJ
    - PD (最大耗散功率):30 W
    - RthJA (结到环境热阻):65 °C/W
    - RthJC (结到外壳热阻):2.1 °C/W
    - TJ, Tstg (操作结温及存储温度范围):-55 °C 至 +150 °C
    - 静态参数
    - VDS (漏源击穿电压):650 V
    - ΔVDS/TJ (漏源击穿电压温度系数):-670 mV/°C
    - VGS(th) (栅源阈值电压):2.0 V至4.0 V
    - IGSS (栅源漏电流):±100 nA
    - 动态参数
    - Ciss (输入电容):080 pF
    - Coss (输出电容):177 pF
    - Crss (反向传输电容):7.0 pF
    - Qg (总栅极电荷):48 nC
    - td(on) (开启延时时间):1.0 ns
    - tr (上升时间):20 ns
    - td(off) (关闭延时时间):34 ns
    - tf (下降时间):18 ns

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:低Qg (总栅极电荷) 48 nC,使得驱动要求简单,降低功耗。
    - 增强的耐用性:提高栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性,适合严苛的工作环境。
    - 全面表征:充分表征了电容和雪崩电压及电流特性。
    - 符合RoHS标准:完全符合2002/95/EC指令,无有害物质。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 高压直流电源转换
    - 工业电机控制
    - 可再生能源系统
    - 使用建议:
    - 确保在使用过程中保持工作温度在安全范围内(-55°C至+150°C),避免过热导致损坏。
    - 在电路设计时考虑栅极电荷的影响,以确保MOSFET的开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于大多数常见的高压电路设计。
    - 支持和服务:VBsemi提供完善的技术支持和售后服务,包括详细的安装指南和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. Q: MOSFET在高温下是否会过热损坏?
    - A: 是的,长时间在超过150°C的高温环境下工作会导致MOSFET损坏。建议通过散热片或其他冷却措施保持在安全温度范围内。
    2. Q: 如何避免栅极电压过高导致损坏?
    - A: 在电路设计时,确保栅源电压不超过±30V,建议使用稳压器或保护电路来限制电压。

    总结和推荐


    2SK2097-VB以其出色的耐用性、高效的电能转换能力和全面的技术参数,非常适合高压电源转换和工业电机控制等应用。对于寻求高效、可靠的高压电源解决方案的设计者来说,这是一款值得考虑的产品。基于其出色的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐使用此款MOSFET。

2SK2097-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK2097-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2097-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2097-VB 2SK2097-VB数据手册

2SK2097-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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