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FQPF19N20-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,200V,20A,RDS(ON),90mΩ@10V,100mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F 由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流容量,可用于开关电源、逆变器和DC/DC转换器等电源模块,实现稳定高效的电能转换。
供应商型号: FQPF19N20-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQPF19N20-VB

FQPF19N20-VB概述


    产品简介


    FQPF19N20-VB 是一款高性能的N沟道200V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于广泛的工业和消费电子应用。其主要特点包括表面贴装和低剖面通孔设计,适用于高可靠性要求的应用场景。它广泛应用于电源转换、马达驱动、照明系统、通信设备等领域。

    技术参数


    - 工作电压:VDS(漏源击穿电压)最大值为200V
    - 连续漏极电流:ID(连续漏极电流)在25°C时最大为20A,在100°C时最大为14A
    - 脉冲漏极电流:IDM(脉冲漏极电流)最大值为72A
    - 热阻:RthJA(结到环境的最大热阻)最大值为40°C/W
    - 门限电压:VGS(th)(门源阈值电压)范围为2.0V至4.0V
    - 导通电阻:RDS(on)(漏源导通电阻)在VGS=10V时为0.058Ω
    - 总栅电荷:Qg(总栅电荷)最大值为70nC
    - 门极充电电容:Ciss(输入电容)最大值为1300pF

    产品特点和优势


    - 快速开关特性:由于其快速的开关速度,FQPF19N20-VB在高频应用中表现出色。
    - 低功耗:低导通电阻确保了较低的功耗,适用于节能要求高的应用场景。
    - 耐高温:能够承受高达150°C的工作温度,适合极端环境下的应用。
    - 高可靠性:符合RoHS标准和无卤素标准,确保在长期运行中具备高可靠性。
    - 高重复瞬态功率能力:可承受较高的脉冲能量,适合需要大功率输出的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换:在电源转换应用中,这款MOSFET可以提供高效的能量转换和低损耗特性,特别是在高频条件下。
    - 马达驱动:在马达驱动应用中,它的低导通电阻和高重复瞬态功率能力使其能够有效地驱动马达,减少热量积累。
    - LED照明系统:在LED照明系统中,其快速开关特性和低功耗有助于提高系统的整体效率和寿命。
    使用建议:
    - 确保电路布局设计时考虑到寄生电感的影响,采用低泄漏电感设计以避免寄生振荡。
    - 使用地面平面来减少噪声干扰,保证信号完整性。
    - 在进行高速开关测试时,控制好dV/dt(电压变化率)以避免瞬态过压导致的损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FQPF19N20-VB具有广泛的兼容性,可用于多种封装形式,如TO-220 FULLPAK。
    - 支持:制造商提供详细的规格说明和技术支持,包括热管理建议和相关应用参考文档。客户还可以通过官方服务热线400-655-8788获得帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定合适的散热措施?
    - 解决方案:根据器件的最大功率耗散和热阻计算散热片大小和材料,确保有效散热。
    2. 问题:如何避免电压尖峰对器件的影响?
    - 解决方案:在设计中加入缓冲电路或吸收电路来抑制电压尖峰,保护MOSFET不受损害。
    3. 问题:如何选择合适的栅极电阻值?
    - 解决方案:根据应用需求和驱动电路特性选择合适的栅极电阻值,以实现良好的开关速度和功耗平衡。

    总结和推荐


    FQPF19N20-VB 是一款出色的N沟道MOSFET,具备快速开关、低功耗和高可靠性等特点,非常适合于电源转换、马达驱动、LED照明等应用。其广泛的兼容性和详尽的技术支持使它成为工程师的理想选择。因此,我们强烈推荐这款产品用于各类高可靠性的电力电子应用。

FQPF19N20-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 20A
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@10V,100mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQPF19N20-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQPF19N20-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQPF19N20-VB FQPF19N20-VB数据手册

FQPF19N20-VB封装设计

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型号 价格(含增值税)
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