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2SK2939L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: 2SK2939L-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2939L-VB

2SK2939L-VB概述

    2SK2939L-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    2SK2939L-VB 是一款 N-通道 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于表面贴装技术(SMT)。它采用了 TO-220AB 封装,适用于多种电子设备中的高效率开关和电源管理。该产品具有无卤素、符合 RoHS 指令等特点,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。

    2. 技术参数


    以下是 2SK2939L-VB 的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压阈值 | VGS(th) | 1.0 | - | 2.5 | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | - | 25 | μA |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 60 | - | - | V |
    | 漏源通态电阻 | RDS(on) | - | 0.024 @ VGS=10V | 0.028 @ VGS=4.5V | Ω |
    | 栅源电荷 | Qg | - | - | 66 | nC |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | - | - |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | 190 | pF |
    | 峰值二极管恢复 dv/dt | dV/dt | - | 4.5 | - | V/ns |

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素:根据 IEC 61249-2-21 标准定义,适合环保需求。
    - 快速开关:逻辑级栅极驱动,可实现高速操作。
    - 逻辑级栅极驱动:确保可靠的信号传输。
    - 动态 dv/dt 评级:适用于高压快速变化的应用。
    - 高可靠性:在重复脉冲下的最大有效瞬态热阻低于 1 µs。
    - 温度适应性强:工作温度范围为 -55°C 到 +175°C,适用于各种极端环境。

    4. 应用案例和使用建议


    2SK2939L-VB 适用于各种电力转换和控制应用。例如,在工业自动化设备中作为电机驱动器的一部分,或者在通信设备中用于电源管理。以下是一些建议:
    - 在高频开关应用中,应注意控制线路的寄生电感以避免过高的 dv/dt。
    - 在高温环境下使用时,要特别注意散热设计,确保不会超过最高工作温度。
    - 对于需要更高功率的应用,可以考虑并联多个器件以提高总电流能力。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:2SK2939L-VB 与标准 TO-220AB 封装的电路板相兼容,可直接替换同封装的其他 MOSFET。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和应用指南,可以通过 400-655-8788 联系服务热线获取进一步支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q1: 如何正确安装 2SK2939L-VB?
    - A1: 应使用标准焊接工艺,峰值温度不超过 300°C,并保持焊锡时间不超过 10 秒。
    - Q2: 如何选择合适的散热器?
    - A2: 使用散热器可有效降低 MOSFET 的温升。建议选用 RthJA 小于 62°C/W 的散热器。
    - Q3: 如何处理高 dv/dt 造成的干扰?
    - A3: 使用低电感布局设计,包括使用大面积接地平面以减少寄生电感。

    7. 总结和推荐


    总体来看,2SK2939L-VB 是一款性能优异的 N-通道 MOSFET,具有出色的开关速度和高温稳定性。其无卤素、符合 RoHS 指令的特点使其成为环保要求较高的应用的理想选择。无论是对于工业自动化还是通信设备,这款 MOSFET 都能够提供可靠的支持。因此,我们强烈推荐使用 2SK2939L-VB。
    通过以上分析,可以看出 2SK2939L-VB MOSFET 是一个技术先进、适用广泛的电子元件,尤其适合在需要高效能、稳定性和环保特性的应用中使用。

2SK2939L-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
配置 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 50A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK2939L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2939L-VB数据手册

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2SK2939L-VB封装设计

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