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FQP7N40-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: FQP7N40-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQP7N40-VB

FQP7N40-VB概述

    FQP7N40-VB MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FQP7N40-VB 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于功率转换和开关应用。它的基本功能是通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的电流。广泛应用于电机驱动、电源管理和各种电力电子系统中。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 \( V{DS} \) | 500 | V |
    | 通态电阻 \( R{DS(on)} \) (VGS = 10V) | 0.660 | Ω |
    | 总栅极电荷 \( Qg \) | 81 | nC |
    | 栅源电荷 \( Q{gs} \) | 20 | nC |
    | 栅漏电荷 \( Q{gd} \) | 36 | nC |
    | 最大重复瞬时漏极电流 \( I{DM} \) | 50 | A |
    | 绝对最大栅极-源极电压 \( V{GS} \) | ±20 | V |
    | 绝对最大峰值反向恢复 \( dV/dt \) | 9.2 | V/ns |

    产品特点和优势


    - 低门限电荷:较低的门限电荷使得驱动要求简化,降低了外部电路设计的复杂度。
    - 坚固耐用:具有改进的栅极、雪崩和动态 \( dV/dt \) 耐久性,适合高可靠性应用。
    - 完全标定:容量和雪崩电压经过全面测试标定,确保产品一致性。
    - RoHS 合规:符合 RoHS 指令,环保且适用于国际市场。

    应用案例和使用建议


    FQP7N40-VB MOSFET 广泛用于电机驱动、开关电源及逆变器等领域。例如,在电机驱动中,它可以作为开关元件来控制电动机的启动和停止。使用时,建议在驱动电路中添加适当的滤波电容以减小噪声干扰,并合理配置栅极电阻以防止电压尖峰损坏 MOSFET。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此产品为 TO-220AB 封装,广泛兼容各种标准电路板设计。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和客户服务支持,包括安装指南、应用笔记和技术咨询热线。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过载损坏 | 确保负载电流不超过额定值,并增加散热措施 |
    | 开关频率过高导致过热 | 适当降低开关频率,并增加散热片面积 |
    | 信号失真 | 检查电路连接,确保所有引脚接地良好 |

    总结和推荐


    FQP7N40-VB MOSFET 以其高可靠性、坚固耐用和低驱动需求等特点,非常适合应用于电机驱动、电源管理及其他高可靠性的电力电子系统中。建议用户在具体应用中严格遵循产品规范,确保安全高效运行。综上所述,强烈推荐使用 FQP7N40-VB MOSFET 来提升系统的性能和稳定性。

FQP7N40-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
Id-连续漏极电流 13A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQP7N40-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQP7N40-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQP7N40-VB FQP7N40-VB数据手册

FQP7N40-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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型号 价格(含增值税)
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