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6416NALG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,25A,RDS(ON),55mΩ@10V,57mΩ@4.5V,73mΩ@2.5V,20Vgs(±V);1.4Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 6416NALG-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6416NALG-VB

6416NALG-VB概述

    # N-Channel 100 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 是一款高效能的功率 MOSFET,采用 TrenchFET® 技术。它被广泛应用于开关电源中的初级侧开关。这款 MOSFET 具有高可靠性,并且所有产品都经过了 UIS(雪崩)测试,确保其在极端条件下的稳定性能。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 100 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ± 20 | V |
    | 持续漏极电流 (TJ = 175 °C) | ID | 25 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 75 | A |
    | 最大功耗 (TC = 25 °C) | PD | 83 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 到 +175 | °C |
    额定特性
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) -0.5 到 -4 V |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS ± 100 nA |
    | 开启状态漏极电流 | ID(on) | 25 A |
    | 开启状态漏源电阻 | RDS(on) 0.055 (VGS = 10 V), 0.057 (VGS = 4.5 V) | Ω |
    | 动态电容 | Ciss, Coss 1800, 180 pF |

    产品特点和优势


    这款 N-Channel 100 V MOSFET 的主要特点是采用了先进的 TrenchFET® 技术,使其具有极低的导通电阻和出色的开关性能。此外,它的UIS测试保证了其在极端条件下的可靠性。这种 MOSFET 在主侧开关应用中表现出色,能够显著提高系统的整体效率和稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这款 MOSFET 广泛应用于开关电源设计中的初级侧开关,特别是在需要高可靠性和低功耗的应用场景中。例如,在通信设备、数据中心电源和消费电子产品中都有广泛应用。
    使用建议
    为了确保最佳性能,请在使用时注意散热措施。对于高功率应用,建议添加外部散热片以降低结温。同时,由于栅极驱动电流有限,建议使用合适的栅极电阻来保护 MOSFET。

    兼容性和支持


    该 MOSFET 适用于各种标准的 PCB 封装,与市场上主流的电路板兼容良好。厂商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括在线技术支持和故障排查指南,确保用户能够顺利应用和维护产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 漏极电流不足
    - 解决方案:检查栅源电压是否达到开启阈值电压。如未达到,请调整电压设置。
    2. 功耗过高
    - 解决方案:确保良好的散热措施。增加散热片或者风扇可以有效降低功耗。
    3. 开关延迟
    - 解决方案:检查栅极驱动电路是否符合要求。确保驱动电流充足,且驱动信号正确无误。

    总结和推荐


    总体来看,这款 N-Channel 100 V MOSFET 凭借其卓越的性能、稳定的可靠性以及广泛的适用范围,在各类应用中表现优异。它不仅能够提高系统的整体效率,还能显著提升用户体验。因此,强烈推荐在电源管理和控制领域进行广泛的应用。

6416NALG-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.4V
Rds(On)-漏源导通电阻 55mΩ@10V,57mΩ@4.5V,73mΩ@2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 25A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

6416NALG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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