处理中...

首页  >  产品百科  >  4523GH-VB

4523GH-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,±40V,50/-50A,RDS(ON),15mΩ@10V,18.75mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1Vth(V) 封装:TO252-5
供应商型号: 4523GH-VB TO252-5
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4523GH-VB

4523GH-VB概述

    N-Channel and P-Channel 40V MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 和 P-Channel 40V(D-S)MOSFET 是采用沟槽式技术制造的功率MOSFET,适用于多种应用场景。这类MOSFET 具有出色的性能和可靠性,特别适合在电流开关、电源管理和其他需要高效功率控制的应用中使用。

    技术参数


    以下是N-Channel 和 P-Channel 40V MOSFET 的主要技术参数:
    | 参数名称 | N-Channel | P-Channel |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | 40 V | 40 V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.014 Ω (VGS=±10V) | 0.014 Ω (VGS=±10V) |
    0.016 Ω (VGS=±4.5V) | 0.016 Ω (VGS=±4.5V) |
    | 持续漏极电流 (ID) | 50 A | 50 A |
    | 最大栅极-源极电压 (VGS) | ±20 V | ±20 V |
    | 单脉冲雪崩电流 (IAS) | 30 A | 30 A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 245 mJ | 245 mJ |
    | 最大功率耗散 (PD) | 108 W (TC=25°C) | 108 W (TC=25°C) |
    32 W (TC=125°C) | 32 W (TC=125°C) |
    | 工作温度范围 (TJ, Tstg)| -55°C 至 +175°C | -55°C 至 +175°C |

    产品特点和优势


    N-Channel 和 P-Channel 40V MOSFET 采用先进的沟槽式技术制造,具有以下优势:
    1. 低导通电阻 (RDS(on)):N-Channel 和 P-Channel 型号均具备出色的低导通电阻,在10V和4.5V的栅极-源极电压下分别为0.014Ω和0.016Ω,可以显著减少功率损耗。
    2. 高可靠性:经过100%的Rg和UIS测试验证,确保了高可靠性和稳定性。
    3. 宽广的工作温度范围:支持从-55°C到+175°C的宽泛温度范围,适用于严苛的环境条件。
    4. 高耐压能力:支持高达40V的漏源电压,适合各种高电压应用场景。

    应用案例和使用建议


    这些MOSFET 主要应用于逆变器、电源转换、电机驱动和其他需要高效率和高可靠性开关应用的场景。例如:
    - CCFL逆变器:这类MOSFET 能够提供高效的开关功能,适用于CCFL灯管驱动电路。
    - 电源转换:适用于高功率电源模块中的开关元件,提高整体系统的能效。
    使用建议:
    - 在选择栅极驱动器时,应确保能够承受最高20V的电压。
    - 设计散热系统时,考虑到MOSFET 的热阻特性,建议使用较大的散热片或散热器以保证良好的散热效果。
    - 在电路设计中应避免超过绝对最大额定值,以免造成损坏。

    兼容性和支持


    这些MOSFET 支持标准的SMD封装(TO-252-4L),可以方便地安装在印刷电路板上。厂商提供了详细的文档和技术支持,包括焊接建议和热阻特性,以便用户能够更好地利用这些产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 热阻过高 | 加大散热器尺寸,改善散热效果 |
    | 导通电阻异常高 | 检查栅极驱动电压是否达到要求,调整驱动电路 |
    | 雪崩击穿现象发生 | 降低输入电压或电流,使用更大的散热器 |

    总结和推荐


    总的来说,N-Channel 和 P-Channel 40V MOSFET 是一款性能卓越且高度可靠的功率器件。其低导通电阻和宽泛的工作温度范围使其成为众多应用场景的理想选择。我们强烈推荐将此产品用于需要高效能和高可靠性的电力管理应用中。

4523GH-VB参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1V
FET类型 N+P沟道
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@10V,18.75mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 ±40V
Id-连续漏极电流 50A,50A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252-5
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4523GH-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4523GH-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4523GH-VB 4523GH-VB数据手册

4523GH-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504