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8N40L-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: 8N40L-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 8N40L-TA3-T-VB

8N40L-TA3-T-VB概述


    产品简介


    8N40L-TA3-T-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它被广泛应用于开关电源、电机驱动、焊接设备以及其他需要高效率、低损耗的应用场合。该器件的主要特点是其较低的门极电荷Qg,可以简化驱动要求,同时具备出色的抗浪涌能力和动态dV/dt鲁棒性。此外,这款MOSFET完全符合RoHS指令的要求,确保了环保标准的满足。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 500V
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\) @ 10V \(V{GS}\): 0.660\(\Omega\)
    - 总门极电荷 \(Qg\)(最大值): 81nC
    - 门极到源极电荷 \(Q{gs}\): 20nC
    - 门极到漏极电荷 \(Q{gd}\): 36nC
    - 封装形式: TO-220AB
    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 连续漏极电流 \(ID\) @ 10V \(V{GS}\): 13A(@25°C),8.1A(@100°C)
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 560mJ
    - 雪崩电流 \(I{AR}\): 13A
    - 最大功率耗散 \(PD\): 250W (@25°C)
    - 其他特性
    - 热阻 \(R{thJC}\): 0.50\(\degree C/W\)
    - 最大体二极管反向恢复时间 \(t{rr}\): 550ns
    - 有效输出电容 \(C{oss,eff}\): 160pF

    产品特点和优势


    8N40L-TA3-T-VB 的主要优势包括其较低的门极电荷 \(Qg\),这简化了驱动要求。此外,它的栅极、雪崩和动态 \(dV/dt\) 鲁棒性得到了改进,使其能够在苛刻的工作条件下表现出色。其完全表征的电容和雪崩电压使得该器件在可靠性方面具有显著优势。由于完全符合RoHS指令,这款MOSFET还能满足严格的环保标准,适用于对环境有严格要求的应用。

    应用案例和使用建议


    这款MOSFET适用于多种应用场景,如开关电源和电机驱动。例如,在一个典型的开关电源设计中,8N40L-TA3-T-VB 可以用于提高系统的效率和降低能耗。对于电机驱动应用,这款MOSFET的高可靠性和低功耗特性能够显著延长系统的使用寿命。
    使用建议:
    - 在设计应用时,务必注意MOSFET的门极驱动电路,确保门极电压不超过绝对最大额定值。
    - 考虑到热管理的重要性,建议采用良好的散热措施,以确保MOSFET在高温环境下仍能稳定工作。

    兼容性和支持


    8N40L-TA3-T-VB 具有广泛的兼容性,可与其他同类MOSFET和相关电路组件配合使用。制造商提供了全面的技术支持和维护服务,包括详细的技术文档和在线咨询服务,以帮助客户解决问题并优化应用性能。

    常见问题与解决方案


    - Q: 门极驱动电路不稳定,导致MOSFET过早失效。
    - A: 检查门极电阻值是否合适,并确保门极驱动信号没有干扰。必要时添加滤波电路以改善信号质量。

    - Q: 工作温度过高,导致MOSFET温度保护。
    - A: 使用更大面积的散热片或者风扇来加强散热效果,同时考虑增加散热器的热传导能力。

    总结和推荐


    8N40L-TA3-T-VB是一款高效且可靠的N沟道功率MOSFET,适用于多种高要求的应用场景。其独特的技术特点和优良的性能使其在市场上具有很高的竞争力。我们强烈推荐该产品用于需要高效率和高可靠性的电子系统中。
    综上所述,8N40L-TA3-T-VB是一款值得信赖的电子元器件,适用于多种应用场景,特别是在开关电源和电机驱动等领域。

8N40L-TA3-T-VB参数

参数 值
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 13A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 500V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

8N40L-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下品牌,成立于2003年,专注于MOSFET的设计、生产和销售,产品包括MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT,应用于工业自动化、新能源、绿色照明及消费电子等领域。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 VBsemi/微碧半导体 相关型号,如 BSS84LT1G、IRF4905PBF、IRLML2502TRPBF、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

8N40L-TA3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 8N40L-TA3-T-VB 8N40L-TA3-T-VB数据手册

8N40L-TA3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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