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IRFH5006TR2PBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,100A,RDS(ON),3mΩ@10V,3.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
供应商型号: IRFH5006TR2PBF-VB QFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFH5006TR2PBF-VB

IRFH5006TR2PBF-VB概述

    IRFH5006TR2PBF-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRFH5006TR2PBF-VB 是一款由VBsemi生产的N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET的主要特点是其高耐温能力和卓越的电气性能,使其适用于高温环境下的电力转换应用。具体而言,其能够在高达175°C的结温下正常工作,适合应用于电源管理、电机驱动和其他高功率转换系统中。

    2. 技术参数


    以下是IRFH5006TR2PBF-VB的主要技术参数:
    - 击穿电压 (VDS):60V(在VGS = 0V,ID = 250μA时)
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)):1.23V(在VDS = VGS,ID = 250μA时)
    - 零栅压漏电流 (IDSS):1μA(在VDS = 60V,VGS = 0V时)
    - 最大持续漏电流 (ID):85A(在TJ = 175°C时)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):100A(脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%)
    - 最大正向连续源电流 (IS):80A
    - 最大雪崩电流 (IAS):70A
    - 单次雪崩能量 (EAS):125mJ(占空比≤1%,L = 0.1mH)
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):18°C/W(在t ≤ 10s时)
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC):1.1°C/W
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在ID = 20A,TJ = 125°C时为0.008Ω
    - 在ID = 20A,TJ = 175°C时为0.010Ω
    - 在ID = 15A,VGS = 4.5V时为0.005Ω
    - 输入电容 (Ciss):2650pF(在VGS = 0V,VDS = 25V时)
    - 输出电容 (Coss):470pF
    - 反向转移电容 (Crss):225pF
    - 总栅极电荷 (Qg):47nC(在VDS = 30V,VGS = 10V时)

    3. 产品特点和优势


    IRFH5006TR2PBF-VB 的主要特点包括:
    - 高结温耐受性:最高结温可达175°C,适用于高温环境。
    - TrenchFET® 功率MOSFET:该技术提供了较低的导通电阻和更高的电流密度,提高了效率。
    - 高可靠性:通过严格的电气测试,确保在各种条件下稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于各种电力电子应用中,如开关电源、电机驱动、太阳能逆变器等。例如,在一个典型的开关电源应用中,IRFH5006TR2PBF-VB可以用于同步整流,提高系统的整体效率。建议在选择合适的驱动电路时,确保驱动电阻足够低以减少栅极震荡,同时考虑散热设计以保持良好的热稳定性。

    5. 兼容性和支持


    IRFH5006TR2PBF-VB 支持表面贴装技术(SMT),可以在1" x 1"的FR4板上进行焊接。厂商提供详尽的技术文档和支持,包括详细的电气特性表、热性能图及典型应用示例,以便于设计人员准确理解并应用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何处理过高的温度问题?
    - A:建议使用更高效的散热器或者优化PCB布局以改善散热。
    - Q:如何防止栅极震荡?
    - A:增加栅极电阻或使用外部缓冲电路来减小栅极震荡。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IRFH5006TR2PBF-VB凭借其出色的电气性能、耐高温能力和广泛的适用范围,是一款非常值得推荐的产品。尤其适用于需要高性能和可靠性的高压电力转换应用场合。强烈推荐给正在寻找高性能MOSFET的设计师和技术工程师们。

IRFH5006TR2PBF-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 100A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,3.6mΩ@4.5V
配置 -
最大功率耗散 -
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFH5006TR2PBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFH5006TR2PBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFH5006TR2PBF-VB IRFH5006TR2PBF-VB数据手册

IRFH5006TR2PBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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