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NTMD4102PR2G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-20V,-9A,RDS(ON),16mΩ@10V,18mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: NTMD4102PR2G-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTMD4102PR2G-VB

NTMD4102PR2G-VB概述

    NTMD4102PR2G Dual P-Channel 20V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTMD4102PR2G 是一款双P通道20V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它具备出色的热性能和低导通电阻,适用于各种负载开关应用。此MOSFET采用TrenchFET技术,能够提供高效、可靠的电力转换,广泛应用于工业控制、汽车电子、电源管理等领域。

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDS): -20V
    - 连续漏极电流(ID):
    - 在TA = 25°C时为-8.9A
    - 在TA = 70°C时为-7.1A
    - 脉冲漏极电流(IDM): -30A
    - 最大功耗(PD):
    - 在TA = 25°C时为2.0W
    - 在TA = 70°C时为1.3W
    - 存储温度范围(Tstg): -55°C至150°C
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 在VGS = -4.5V, ID = -8.9A时为0.018Ω
    - 在VGS = -2.5V, ID = -8.1A时为0.022Ω
    - 在VGS = -1.8V, ID = -3.6A时为0.030Ω

    3. 产品特点和优势


    - 高密度单元工艺: 高密度单元设计使得芯片面积更小,降低了制造成本。
    - TrenchFET技术: 该技术提升了开关性能和可靠性,减少了开关损耗。
    - 无卤素材料: 符合IEC 61249-2-21定义,环保且安全。
    - RoHS合规: 该产品符合欧盟RoHS指令要求,确保产品绿色环保。
    - 宽温度范围: 可在极端环境下稳定运行,满足工业需求。

    4. 应用案例和使用建议


    NTMD4102PR2G 主要用于负载开关应用,例如电机控制、电源管理和信号调理等。在工业控制系统中,可以利用其高开关频率和低导通电阻特性,提高系统的效率和稳定性。使用时应注意以下几点:
    - 散热管理: 由于功率较大,需要良好的散热措施,避免过热。
    - 驱动电路设计: 确保驱动电路能够提供足够的栅极电压,以达到最优的工作状态。
    - 保护措施: 增加过压、过流保护电路,防止瞬态现象损坏器件。

    5. 兼容性和支持


    - 封装形式: SO-8封装,便于表面安装。
    - 兼容性: 该产品具有良好的通用性,可以替代其他品牌的同类型产品,无需过多的电路改动。
    - 技术支持: VBsemi公司提供详细的技术文档和支持服务,确保客户能够顺利使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备过热。
    - 解决方法: 使用散热片或散热风扇增强散热,或者降低工作电流,减少发热。
    - 问题2: 开关速度慢。
    - 解决方法: 检查驱动电路,确保栅极电压充足;使用较小的栅极电阻,减少开关延迟时间。
    - 问题3: 导通电阻高。
    - 解决方法: 确认工作电压在规范范围内,避免低于规定值;检查是否有短路或其他故障导致电流过高。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NTMD4102PR2G是一款高性能、高可靠性的双P通道20V MOSFET。其具备低导通电阻、高温度耐受能力以及优良的封装形式,非常适合用于各种工业应用。强烈推荐使用该产品,特别是在需要高效、稳定开关性能的应用场合。

NTMD4102PR2G-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 16mΩ@10V,18mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 500mV
配置 -
Id-连续漏极电流 9A
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTMD4102PR2G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTMD4102PR2G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTMD4102PR2G-VB NTMD4102PR2G-VB数据手册

NTMD4102PR2G-VB封装设计

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