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P22NS25Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,12A,RDS(ON),190mΩ@10V,228mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.1Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: P22NS25Z-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P22NS25Z-VB

P22NS25Z-VB概述

    P22NS25Z 功率MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    P22NS25Z 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源转换、电机驱动及开关电路等领域。
    - 产品类型: N沟道功率MOSFET
    - 主要功能:
    - 快速开关能力
    - 重复雪崩耐量
    - 易于并联
    - 应用领域: 电源转换、电机驱动、开关电路等

    2. 技术参数


    以下是P22NS25Z的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 250 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | - | 25 | μA |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.19 | - | Ω |
    | 开启延时时间 | td(on) | - | 11 | - | ns |
    | 关闭延时时间 | td(off) | - | 53 | - | ns |
    | 导通电阻温度系数 | ΔRDS(on)/ΔT | - | 0.34 | - | V/°C |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1300 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 330 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 85 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 68 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 11 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 35 | - | nC |
    工作环境
    - 最高工作温度: 150°C
    - 存储温度范围: -55°C 至 150°C
    - 最大结到环境热阻: 62°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 动态dv/dt耐量: 可以承受高动态变化率,适合用于高速开关应用。
    - 重复雪崩耐量: 能够处理重复性的瞬态冲击。
    - 易于并联: 在需要较高输出电流的应用中可以轻松并联使用。
    - 简单驱动要求: 需要的驱动电压低,使得设计更加简单。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用
    - 作为电机驱动电路中的开关器件
    - 用于电源转换电路中的同步整流
    - 应用于各种需要快速开关特性的电路
    使用建议
    - 在高频开关应用中,需要注意引线电感的影响。
    - 确保良好的散热管理,避免过热。
    - 使用具有足够电流能力的驱动器,确保开关速度和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与标准的TO-220封装兼容,易于安装。
    - 支持: 厂商提供详尽的技术支持文档,包括数据表、应用指南等。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温下出现异常发热 | 加强散热措施,使用合适散热器 |
    | 开关过程不稳定 | 优化驱动电路,增加合适的栅极电阻 |
    | 漏电流过大 | 检查电路板布局,减少寄生电感 |

    7. 总结和推荐



    总结


    - P22NS25Z是一款性能优异的功率MOSFET,具备优秀的动态dv/dt耐量和重复雪崩耐量。
    - 特别适用于需要快速开关和高可靠性的应用。
    推荐
    - 强烈推荐在需要高速开关和良好热性能的应用中使用P22NS25Z。

P22NS25Z-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 12A
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@10V,228mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 250V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

P22NS25Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P22NS25Z-VB数据手册

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P22NS25Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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