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FCD4N60TM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: FCD4N60TM-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FCD4N60TM-VB

FCD4N60TM-VB概述

    FCD4N60TM N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FCD4N60TM 是一款高性能的 N-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和开关控制等领域。这款 MOSFET 具有低栅极电荷(Qg)和高击穿电压(VDS)的特点,适用于多种高压和高频应用场景。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS):650V
    - 导通电阻 (RDS(on)):10V 下为 0.95Ω
    - 最大总栅极电荷 (Qg):15nC
    - 输入电容 (Ciss):320pF(在 VDS=25V 时)
    - 输出电容 (Coss):75pF
    - 反向转移电容 (Crss):无
    - 最大连续漏极电流 (ID):25°C 时为 5A;100°C 时为 4A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):16A
    - 重复性雪崩电流 (IAR):34A
    - 最大功率耗散 (PD):25°C 时为 205W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 热阻抗 (RthJA):无特定数值

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg):有助于减少驱动需求,简化电路设计。
    - 改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 鲁棒性:提高了产品的耐用性和可靠性。
    - 全面的电容和雪崩电压及电流特征化:提供了精确的产品性能指标。
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC:符合环保标准,确保产品绿色安全。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源转换器:由于其高击穿电压和低导通电阻,FCD4N60TM 可以有效地用于直流到直流转换器的设计中。
    - 逆变器:可以应用于太阳能逆变器等场合,提供高效的电力转换。
    - 使用建议:在设计应用电路时,需要注意避免超过器件的最大额定值,如温度和电流限制。合理选择散热措施,确保器件正常运行。

    5. 兼容性和支持


    - 封装兼容性:支持 TO-220AB、TO-252 和其他标准封装。
    - 厂商支持:VBsemi 提供详细的用户手册和技术支持,确保客户能够顺利使用产品并进行必要的故障排除。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的温度导致器件失效。
    - 解决方案:增加散热片,改善散热条件,确保工作温度在允许范围内。

    - 问题2:驱动信号不稳定导致器件损坏。
    - 解决方案:使用稳定的电源和驱动电路,确保栅极驱动信号质量良好。

    7. 总结和推荐


    FCD4N60TM N-通道 MOSFET 是一款高性能且可靠的电子元器件,特别适合于需要高电压、高频率和高可靠性的应用场景。其优秀的性能指标和广泛的适用性使其成为市场上颇具竞争力的产品。强烈推荐在需要高效电力转换和开关控制的应用中使用 FCD4N60TM。

FCD4N60TM-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 5A
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FCD4N60TM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FCD4N60TM-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FCD4N60TM-VB FCD4N60TM-VB数据手册

FCD4N60TM-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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