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L2SK3019LT1G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: L2SK3019LT1G-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) L2SK3019LT1G-VB

L2SK3019LT1G-VB概述


    产品简介


    N-Channel 60-V MOSFET
    本产品是一款N沟道60V耐压的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电子电路的设计与制造。这款MOSFET具有低导通电阻和高速开关性能,是TrenchFET®系列的一部分。它特别适合于逻辑电平接口、驱动电路、电池供电系统及固态继电器等领域。

    技术参数


    - 电压等级:漏源极电压(VDS)为60V
    - 电流等级:连续漏极电流(ID)最高可达250mA(在TA=25°C下)
    - 阈值电压:典型值为2V
    - 导通电阻:在VGS = 10V时为2.8Ω
    - 输入电容:25pF
    - 漏极反向击穿电压:在ID = 10µA时为60V
    - 封装类型:SOT-23
    - 工作温度范围:-55°C至+150°C
    - 热阻抗:RthJA为350°C/W

    产品特点和优势


    独特功能和优势:
    1. 低导通电阻:低至2.8Ω,减少功率损耗。
    2. 低电压操作:典型阈值电压仅为2V,易于驱动。
    3. 快速开关:开关时间仅需25ns,适于高速电路设计。
    4. 高可靠性:符合RoHS和无卤素标准,确保环保。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    1. 逻辑电平接口:可直接用于TTL/CMOS接口。
    2. 驱动电路:适用于驱动继电器、电磁阀、灯泡、显示屏、存储器等。
    3. 电池供电系统:适用于各种电池供电的便携式设备。
    4. 固态继电器:提供可靠的固态开关功能。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,应注意散热,防止因温度过高导致性能下降。
    - 在使用过程中,应确保门极电压不超过±20V,以避免损坏。
    - 考虑到MOSFET的高切换速度,电路设计应尽量减少寄生电感和电容,以提高稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与多数逻辑电路和驱动电路兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持,帮助客户解决问题和优化设计。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开关过程中的高频振荡
    - 解决方案:在电源和门极之间添加RC滤波电路,减小寄生电感和电容的影响。
    2. 问题:开关延迟过长
    - 解决方案:确保电源电压稳定,并选择合适的门极电阻。
    3. 问题:发热严重
    - 解决方案:增加散热片或使用更好的散热材料,并优化电路布局。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 主要优点:低导通电阻、低功耗、高速开关性能、可靠性和环保特性。
    - 推荐程度:高度推荐,尤其适用于需要高速、低功耗的驱动电路设计。
    这款N-Channel 60-V MOSFET凭借其卓越的性能和广泛的应用范围,在众多电子设计项目中将发挥重要作用。

L2SK3019LT1G-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 300mA
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

L2SK3019LT1G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

L2SK3019LT1G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 L2SK3019LT1G-VB L2SK3019LT1G-VB数据手册

L2SK3019LT1G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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300+ ¥ 0.1801
500+ ¥ 0.1729
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