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K2115-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K2115-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2115-VB

K2115-VB概述

    Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种广泛应用于电源转换和控制领域的半导体器件。这类器件具有低导通电阻(RDS(on)),能够在高电压和大电流环境下高效工作。它们主要适用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源和照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯镇流器)等工业应用。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | ±30 V |
    | 漏极-源极电压(最大) | VDS 650 | V |
    | 漏极连续电流(TJ=150°C) | ID 175 | A |
    | 绝对最大栅极脉冲电流 | IDM 278 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS 97 | mJ |
    | 雪崩能量测试条件 VDD=50V V |
    | 反向恢复时间 | trr 190 | ns |
    | 漏极-源极体二极管电流 | IS 16 | A |
    | 栅极电荷 | Qg 28 | nC |

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg):降低驱动功耗,提升开关速度。
    - 低输入电容(Ciss):减少栅极充电时间,提高系统效率。
    - 降低开关和导通损耗:提高能效,适合高频率应用。
    - 卓越的雪崩耐受能力(UIS):增强可靠性,在过压情况下稳定工作。

    应用案例和使用建议


    在服务器和电信电源应用中,Power MOSFET能够提供高效的电压转换,降低能源消耗。对于LED驱动和电池管理电路,其高耐压能力和低漏电流特性使其成为理想选择。使用时应注意选择合适的栅极驱动电阻(Rg),以避免过高的瞬态电流损坏器件。

    兼容性和支持


    Power MOSFET 具有广泛的兼容性,可与其他标准元器件搭配使用。制造商提供了详细的技术支持和维护文档,帮助用户进行器件选型和电路设计。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅极脉冲电流过大导致损坏
    - 解决方案:增加栅极电阻(Rg),限制栅极驱动电流。
    2. 问题:开关过程中出现不稳定现象
    - 解决方案:确保PCB设计合理,减少杂散电感,优化接地平面。
    3. 问题:散热不足导致温度过高
    - 解决方案:增加散热片或采用更好的散热材料,保证器件在安全温度范围内工作。

    总结和推荐


    综上所述,这款Power MOSFET凭借其优异的性能和广泛的应用领域,是一款值得推荐的产品。其低导通电阻和高效能的特点使其成为电源管理系统的理想选择。建议用户根据具体应用场景选择合适的型号,并遵循制造商提供的使用指南,以获得最佳性能和可靠性。

K2115-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 7A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

K2115-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2115-VB数据手册

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K2115-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
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15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336