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RJK4532DPD-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: RJK4532DPD-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RJK4532DPD-VB

RJK4532DPD-VB概述


    产品简介


    4VQFS+VODUJPO Power MOSFET 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),特别适用于服务器、通信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明等领域。这种MOSFET以其低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷(Qg)和低输入电容(Ciss)等特点著称,使其在高效率转换和低损耗运行方面表现出色。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):最大值 0.5Ω(在25°C时)
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值 36nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):最大值 14.1nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):最大值 15.8nC
    - 连续漏极电流 (ID):15A(在150°C时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):55A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):87mJ
    - 热阻 (RthJA):63°C/W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C至+150°C
    - 重复脉冲额定值:由最大结温限制
    - 栅极-源极电压 (VGS):±30V

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷 (Qg):有助于降低驱动损耗。
    2. 低输入电容 (Ciss):减少高频切换损耗。
    3. 低RDS(on):确保在高电流下具有更低的导通电阻。
    4. 高雪崩能力 (UIS):具备处理瞬间高压的能力,提高系统可靠性。
    5. 高开关速度:适合需要快速开关的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器电源供应:用于提供稳定高效的电力供应。
    - 通信设备:为各种电信设备提供高效能转换。
    - 照明:适用于HID灯泡和荧光灯的驱动电路。
    使用建议
    - 散热管理:由于其大功率特性,在安装时应考虑良好的散热措施,以避免高温引起的性能下降。
    - 选择合适的驱动电路:为了保证最佳的开关速度和效率,需要选择合适的栅极驱动电路和适当的驱动电阻。
    - 电路布局优化:注意减少寄生电感,增加接地平面,以改善信号完整性和电磁干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与多种标准SMPS电路板兼容,适用于广泛的电子设备。
    - 技术支持:供应商提供详尽的技术文档和客户支持,帮助用户进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 开关过程中的噪音如何处理?
    - A: 可通过选择合适的栅极电阻 (Rg) 和增加滤波电容来减小噪音。
    2. Q: 为什么器件的开启和关闭时间较长?
    - A: 确保驱动电压足够且驱动电路的响应速度快。此外,适当的布局和走线可以减少寄生电感和电阻的影响。
    3. Q: 如何验证产品是否适合特定应用?
    - A: 请咨询供应商的技术支持团队,他们可以提供具体的应用测试报告和参数验证。

    总结和推荐


    4VQFS+VODUJPO Power MOSFET 在多个关键指标上表现出卓越性能,如低RDS(on)、低栅极电荷和高雪崩能量。它广泛适用于服务器电源、通信设备和照明等领域。凭借其强大的特性和稳定性,该MOSFET是实现高效率电源转换的理想选择。强烈推荐在需要高性能和高可靠性的应用中使用此产品。

RJK4532DPD-VB参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 9A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

RJK4532DPD-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RJK4532DPD-VB数据手册

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RJK4532DPD-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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型号 价格(含增值税)
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