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K2151-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-5.8A,RDS(ON),50mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: K2151-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2151-VB

K2151-VB概述


    产品简介


    本手册描述的是VBsemi公司生产的P-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它是一种高压P沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于负载开关和电池开关等领域。该器件采用TrenchFET®技术制造,具有优异的电气特性和可靠性,适用于各种高电流和高电压的应用场景。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): -30 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 连续漏极电流 \( ID \)(TJ = 150 °C):
    - \( TC = 25 °C \): -7.6 A
    - \( TC = 70 °C \): -5.8 A
    - \( TA = 25 °C \): -6.0 A
    - \( TA = 70 °C \): -5.2 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): -35 A
    - 最大功耗 \( PD \)(\( TC = 25 °C \)): 6.5 W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): -30 V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): -1.0 V 至 -2.5 V
    - 零栅源电压漏极电流 \( I{DSS} \): -1 μA
    - 导通状态漏极电流 \( I{D(on)} \):-20 A
    - 导通状态漏源电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = -10 V \): 0.050 Ω
    - \( V{GS} = -4.5 V \): 0.056 Ω
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1355 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 180 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 145 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \):
    - \( V{GS} = -10 V \): 25 nC
    - \( V{GS} = -4.5 V \): 13 nC

    产品特点和优势


    - 独特功能:
    - 高可靠性的TrenchFET®技术,提供优异的导通状态和反向恢复性能。
    - 零栅电压时的漏极电流低至 -1 μA,保证在不工作状态下功耗极低。
    - 高电流能力,脉冲漏极电流可达 -35 A,满足高瞬态电流需求。
    - 优势:
    - 极低的导通电阻 \( R{DS(on)} \),显著提高效率并减少发热。
    - 广泛的工作温度范围(-55°C 至 150°C),适用于恶劣环境下的应用。
    - 符合RoHS标准和无卤素要求,适合环保需求。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 作为负载开关,用于控制电路中的电流流动。
    - 作为电池开关,用于切换电池供电路径。
    使用建议:
    - 在负载开关应用中,确保MOSFET的栅极驱动信号足够强,以减少导通时间。
    - 在高电流应用中,应注意散热,避免由于过热导致性能下降。

    兼容性和支持


    该器件采用SOT89封装,与多种PCB设计兼容。VBsemi公司提供了详尽的技术支持,包括应用指南和故障排查文档,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题: 过高的漏极电流可能导致器件损坏。
    解决办法: 使用合适的散热措施,如散热片或强制风冷,确保工作在允许的温度范围内。
    问题: 栅极电压设置不当可能导致器件误触发。
    解决办法: 确保栅极电压设置在额定范围内,并通过适当的栅极电阻控制驱动信号。

    总结和推荐


    VBsemi的这款P-Channel 30-V MOSFET凭借其出色的导通电阻、高电流能力和宽广的工作温度范围,在负载开关和电池开关等应用中表现出色。该产品不仅符合RoHS和无卤素标准,还能有效降低功耗,延长使用寿命。强烈推荐用于需要高性能和高可靠性的电力管理应用。
    通过合理的使用和维护,该产品可以为用户提供稳定、可靠的性能,是电力管理和电源转换应用的理想选择。

K2151-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -600mV~-2V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 5.8A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2151-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2151-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2151-VB K2151-VB数据手册

K2151-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.8746
100+ ¥ 0.8098
500+ ¥ 0.7773
1000+ ¥ 0.745
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