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JCS20N20FT-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,20A,RDS(ON),90mΩ@10V,100mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F\n由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流容量,可用于开关电源、逆变器和DC/DC转换器等电源模块,实现稳定高效的电能转换。
供应商型号: JCS20N20FT-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS20N20FT-O-F-N-B-VB

JCS20N20FT-O-F-N-B-VB概述


    产品简介


    JCS20N20FT-O-F-N-B-VB是一款高性能的200V耐压N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于表面贴装和低轮廓通孔安装。其广泛应用于各种电力转换系统,如逆变器、电源转换器及电机驱动器等。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):200V
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)):2.0~4.0V
    - 漏极导通电阻 (RDS(on)):0.058Ω(在VGS=10V时)
    - 最大耗散功率 (PD):42W(在TA=25°C时)
    - 最高工作温度 (TJ):150°C
    - 动态dv/dt:5.0V/ns
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):580mJ
    - 重复雪崩能量 (EAR):13mJ
    - 输入电容 (Ciss):1300pF
    - 输出电容 (Coss):430pF
    - 反向传输电容 (Crss):130pF

    产品特点和优势


    1. 环保材料:符合IEC 61249-2-21标准的无卤素材料。
    2. 快速开关特性:具备优秀的动态dv/dt和快速开关性能。
    3. 高可靠性:全面的雪崩测试认证。
    4. 低功耗:导通电阻小,能耗低,适合高效率应用。
    5. 高工作温度范围:支持在-55°C到150°C的宽温范围内工作。

    应用案例和使用建议


    JCS20N20FT-O-F-N-B-VB广泛应用于需要高电压、高频率开关的应用场合。例如,在逆变器和电机驱动器中,可以显著提高系统的能效和稳定性。使用时应注意散热设计,以避免过热问题。
    建议措施:
    - 在设计时要考虑到MOSFET的热管理,确保有效的散热措施。
    - 注意栅极驱动电路的设计,保证栅极信号的稳定性和快速响应。
    - 考虑在关键节点添加滤波电容,减少尖峰电压的影响。

    兼容性和支持


    该产品可与多种设备和电路板兼容,具体参数见产品数据表。供应商提供详尽的技术支持和售后服务,帮助客户解决实际使用中的问题。

    常见问题与解决方案


    1. Q:栅极电压超出规定范围怎么办?
    A:通过增加外部栅极电阻来降低瞬态栅极电压,防止损坏。

    2. Q:出现过高的耗散功率怎么办?
    A:改善散热设计,使用更高效的散热片或风扇。

    3. Q:出现异常的电流和电压波动怎么办?
    A:检查外部电路设计,确保合适的电容和电阻值,减少噪声干扰。

    总结和推荐


    JCS20N20FT-O-F-N-B-VB以其出色的性能和高可靠性,成为众多高要求应用的理想选择。该产品特别适合于高电压、高频工作的电力电子系统。在设计时应注意热管理和电路布局,以充分发挥其性能优势。强烈推荐在高压、高频的电力电子系统中使用该产品。

JCS20N20FT-O-F-N-B-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 20A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@10V,100mΩ@4.5V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS20N20FT-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS20N20FT-O-F-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS20N20FT-O-F-N-B-VB JCS20N20FT-O-F-N-B-VB数据手册

JCS20N20FT-O-F-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
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