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NTP52N10-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,70A,RDS(ON),17mΩ@10V,20Vgs(±V);3.7Vth(V) 封装:TO220适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块,如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。
供应商型号: NTP52N10-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTP52N10-VB

NTP52N10-VB概述

    N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型: N-Channel MOSFET
    主要功能: 用于隔离直流/直流转换器中电源管理的核心组件
    应用领域:
    - 隔离直流/直流转换器(如开关电源)
    - 通信系统
    - 工业自动化
    - 汽车电子

    2. 技术参数


    | 参数 | 型号 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 | 100 | V |
    | 最小栅阈电压 | 2 | V |
    | 栅体漏电流 | ±100 | nA |
    | 栅源电荷 | 23 | nC |
    | 栅源电阻 | 0.5 - 1.3 | Ω |
    | 开启延迟时间 | 24 | ns |
    | 上升时间 | 220 | ns |
    | 关闭延迟时间 | 45 | ns |
    | 下降时间 | 200 | ns |
    | 门限源极电压 | 1.0 - 1.5 | V |

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性: 工作温度范围广,可在-55°C到175°C之间正常工作。
    - 低热阻封装: 可以有效散热,提升可靠性。
    - 全栅电阻测试: 每个产品都经过100%全栅电阻测试。
    - 高性能: 极低的导通电阻(\(r{DS(on)}\)),适用于大电流应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 隔离直流/直流转换器: 在高压转换过程中,该MOSFET可以提供高效的能量转换,适合用于工业设备的电源管理系统。
    - 通信系统: 用于电源管理模块,确保高效稳定的电力供应。
    使用建议:
    - 由于MOSFET的工作环境温度较高,建议在安装时选择散热性能好的材料和结构,如PCB设计时需考虑热量管理。
    - 为了确保最佳性能,建议对所有电路进行详细的仿真和验证。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品适用于各种标准电源管理和转换电路,可直接替换同类产品。
    - 建议与相同型号或系列的产品兼容使用,确保电路工作的稳定性和可靠性。
    支持:
    - 提供详尽的技术文档和客户支持,帮助客户解决问题。
    - 客户可以通过官方服务热线400-655-8788获取进一步的技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查连接和焊接质量,确保接触良好。 |
    | 热量管理不善导致过热 | 使用散热片或增加风扇进行散热。 |
    | 电路无法正常工作 | 检查电路设计,确保符合产品要求。 |

    7. 总结和推荐



    总结

    :
    N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 是一款高可靠性的电子元器件,具有广泛的适用范围和卓越的性能。其在隔离直流/直流转换器中的表现尤为出色,适用于多种复杂的应用场景。
    推荐:
    我们强烈推荐该产品用于需要高可靠性、大电流和宽工作温度范围的应用。通过详细的技术规格和优秀的热管理能力,该产品在众多电源管理和转换应用中表现出色,是您的理想选择。

NTP52N10-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 70A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 17mΩ@ 10V
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTP52N10-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTP52N10-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTP52N10-VB NTP52N10-VB数据手册

NTP52N10-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.1093
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