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K3683-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: K3683-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3683-VB

K3683-VB概述

    # K3683-VB N-Channel 550V Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    K3683-VB 是一款高性能的N沟道550V(D-S)功率MOSFET,适用于多种电子设备。这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)等特点,特别适合用于需要高效率和快速开关的应用场合。
    主要功能
    - 低区域特定导通电阻:降低能耗。
    - 低输入电容:减少开关损耗。
    - 增强体二极管的耐用性:提高设备的稳定性和可靠性。
    - 雪崩能量额定值(UIS):确保设备在极端条件下仍能可靠工作。
    应用领域
    - 消费电子:例如液晶电视或等离子电视。
    - 服务器和电信电源供应:如开关电源(SMPS)。
    - 工业应用:包括焊接、感应加热和电机驱动。
    - 电池充电器:适用于各类充电需求。
    - 功率因数校正(PFC)。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 550 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压(N)| VGS(th)| 2 | 4 | - | V |
    | 导通电阻 | RDS(on)| - | 0.26 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 3094 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 80 | 150 | nC |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 优化设计:低区域特定导通电阻和低输入电容有效降低了功耗,减少了开关过程中的损耗。
    - 高效的运行:低成本和简单的栅极驱动电路,结合低“品质因子”(FOM),使得该MOSFET更加高效。
    - 快速切换:该器件具备快速开关的能力,适用于高速工作场合。
    市场竞争力
    - 在多种应用领域中表现出色,尤其适用于高效率要求的场合。
    - 由于其卓越的开关性能和高可靠性,K3683-VB在市场上具有很强的竞争优势。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在服务器电源供应中,K3683-VB可以作为开关管使用,以提高电源转换效率。
    - 在消费电子产品如液晶电视中,其低输入电容和快速切换能力显著降低了功耗。
    使用建议
    - 温度管理:确保散热良好,避免过热损坏。建议采用有效的热管理系统。
    - 测试条件:根据具体应用选择合适的栅极电压和驱动电流,确保MOSFET工作在最佳状态。

    兼容性和支持


    兼容性
    - K3683-VB 具有标准的TO-220封装,易于与其他设备或电路板进行连接。
    - 其他兼容性信息请参考具体的技术手册。
    支持和维护
    - VBsemi公司提供了详细的技术文档和售后服务支持,客户可以通过官方服务热线400-655-8788获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决办法
    - 过热问题:增加散热片或风扇,提高散热效果。
    - 栅极驱动不稳定:检查驱动电路的配置和参数设置,确保符合MOSFET的要求。
    - 电流过大导致损坏:适当调整负载或保护电路,避免电流过载。

    总结和推荐


    综合评估
    - 主要优点:
    - 优秀的电气特性,如低导通电阻和低输入电容。
    - 高效的开关性能和可靠的雪崩能量额定值。
    - 广泛适用的领域,如消费电子、工业控制和通信电源。

    - 使用建议:
    - 选择合适的应用环境,确保其在高温、高电压条件下仍能正常工作。
    - 结合有效的散热措施,确保MOSFET能够长期稳定工作。
    推荐使用
    - K3683-VB N-Channel 550V Power MOSFET因其卓越的性能和广泛的应用领域,值得推荐用于各种需要高效率和可靠性的电子设备中。

K3683-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vds-漏源极击穿电压 550V
Id-连续漏极电流 18A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3683-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3683-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3683-VB K3683-VB数据手册

K3683-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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