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4816N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: 4816N-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4816N-VB

4816N-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高性能的电子元器件,主要用于笔记本电脑CPU核心的高侧同步整流操作。这种MOSFET采用TrenchFET®技术,优化了在高侧开关应用中的性能。此外,该产品已通过100% Rg和UIS测试,确保了卓越的可靠性和耐用性。

    技术参数


    - 基本参数
    - VDS(漏源电压): 30 V
    - RDS(on)(导通电阻):
    - VGS=10 V 时:0.008 Ω
    - VGS=4.5 V 时:0.011 Ω
    - ID(连续漏电流):
    - TC=25 °C 时:13 A
    - TC=70 °C 时:9 A
    - Qg(总栅极电荷):
    - VGS=10 V 时:15 nC
    - VGS=5 V 时:6.8 nC
    - 绝对最大额定值
    - VDS(漏源电压): 30 V
    - VGS(栅源电压): ± 20 V
    - IDM(脉冲漏电流): 45 A
    - IS(持续源-漏二极管电流): 3.7 A
    - IAS(单脉冲雪崩电流): 20 A
    - EAS(雪崩能量): 21 mJ
    - PD(最大功耗):
    - TC=25 °C 时:4.1 W
    - TC=70 °C 时:2.5 W
    - 工作环境
    - 操作结温和存储温度范围:-55°C 至 150°C
    - 最大热阻:
    - RthJA(结至环境的最大热阻): 39 °C/W
    - RthJF(结至引脚的最大热阻): 25 °C/W

    产品特点和优势


    - 绿色环保:采用无卤素材料制造,符合RoHS标准。
    - 优化设计:针对高侧同步整流操作进行了优化。
    - 可靠性高:100% Rg和UIS测试确保了卓越的可靠性和耐用性。
    - 低导通电阻:在不同的工作条件下表现出色的导通电阻,有助于降低功率损耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    N-Channel 30-V MOSFET 主要用于笔记本电脑CPU核心的高侧开关应用。例如,在电源管理模块中,可以作为高效的高侧开关使用,从而提升系统的整体效率和稳定性。
    使用建议
    为了最大化其性能,建议按照以下步骤进行安装和使用:
    - 布局设计:合理设计电路板布局,确保良好的散热路径。
    - 电压选择:根据实际需求选择合适的VGS电压,以优化导通电阻。
    - 散热处理:考虑到较高的功耗和温度影响,应采取适当的散热措施,如增加散热片或使用热导胶。

    兼容性和支持


    N-Channel 30-V MOSFET 与标准的SO-8封装兼容,适用于各种基于SO-8的电路板。VBsemi提供全面的技术支持,包括详尽的用户手册、产品认证和技术咨询服务,帮助用户在使用过程中遇到的问题得到及时解决。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 优化电路布局,增加散热措施。 |
    | 功耗过高 | 选择更小的栅极电阻Rg,减少开关时间。 |
    | 高侧开关不稳定 | 确保栅极驱动电压满足要求,避免过压情况。 |

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 30-V MOSFET 在高侧同步整流操作中表现优异,具有出色的导通电阻、可靠的性能和绿色环保的特点。特别适合于笔记本电脑CPU核心的应用场合。如果需要高效稳定的高侧开关解决方案,强烈推荐选用此款MOSFET。

4816N-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV~2.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,15mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 12A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4816N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4816N-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4816N-VB 4816N-VB数据手册

4816N-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
库存: 400000
起订量: 25 增量: 4000
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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15N10 ¥ 0.336
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