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K4200-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K4200-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4200-VB

K4200-VB概述

    K4200-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    K4200-VB 是一款 N-Channel 650V 功率 MOSFET,适用于高压应用场合。该器件的主要功能包括高效率、低损耗及优秀的开关特性。它的主要应用领域涵盖电源转换、电机控制和工业自动化等领域。

    2. 技术参数


    - 电压等级: VDS = 650V
    - 导通电阻: RDS(on) @ 10V VGS = 2.5Ω
    - 总栅极电荷: Qg(max) = 48nC
    - 栅源电荷: Qgs = 12nC
    - 栅漏电荷: Qgd = 19nC
    - 封装形式: TO-220 Fullpak
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 最大脉冲电流: IDM = 18A
    - 热阻: RthJA ≤ 65°C/W,RthJC ≤ 2.1°C/W
    - 重复雪崩能量: EAR = 6mJ

    3. 产品特点和优势


    K4200-VB 具有以下特点和优势:
    - 低栅极电荷:低栅极电荷意味着简单的驱动需求,减少了对外部驱动电路的需求,降低了系统成本。
    - 增强的坚固性:改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐久性,使其能够在恶劣环境中稳定工作。
    - 全面表征:完全表征的电容和雪崩电压电流特性,确保其在各种工作条件下的可靠性能。
    - 环保合规:符合 RoHS 指令 2002/95/EC,对环境保护做出贡献。

    4. 应用案例和使用建议


    K4200-VB 的应用场景广泛,例如电源转换、电机驱动和工业控制等。在具体应用中,它可以在高压直流母线电压下高效运行,适合需要高耐压和高可靠性功率开关的应用。
    - 使用建议:
    - 选择合适的驱动电阻:根据负载情况调整栅极电阻,以确保最佳开关性能。
    - 散热管理:确保良好的散热设计,特别是在高电流和高频率应用中。
    - 注意布局和寄生电感:合理布局 PCB,减少寄生电感,防止高速开关引起的振铃现象。

    5. 兼容性和支持


    K4200-VB 采用标准 TO-220 Fullpak 封装,易于与其他常见的功率模块和驱动电路兼容。制造商提供了详尽的技术支持,包括详实的数据手册、应用指南和技术支持团队,以帮助用户进行正确的产品选择和使用。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何优化 K4200-VB 在高频应用中的表现?
    - A: 通过使用低内阻驱动器和优化 PCB 布局来降低寄生电感,同时确保足够的散热设计。
    - Q: 如何判断 K4200-VB 是否达到了预期的工作状态?
    - A: 可通过测量 VDS 和 IDS 来验证其是否正常工作。另外,可以通过热成像仪检测器件温度,确保不超过最大允许温度。
    - Q: 如何避免 K4200-VB 雪崩失效?
    - A: 确保在设计时考虑最大雪崩能量,选择合适的外部分流二极管以吸收瞬态电压。

    7. 总结和推荐


    综上所述,K4200-VB N-Channel 650V Power MOSFET 具备出色的性能和可靠性,非常适合高压、大电流应用环境。其低栅极电荷、增强的坚固性和全面的表征使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐在需要高压、高效能功率开关的应用中使用 K4200-VB。

K4200-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 4A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4200-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4200-VB数据手册

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K4200-VB封装设计

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