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UTP45N02-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: UTP45N02-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTP45N02-VB

UTP45N02-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET UTP45N02

    1. 产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能的功率电子元件,属于TrenchFET®系列。该型号特别适用于开关电源中的OR-ing应用、服务器以及直流/直流转换器等。其设计紧凑,能够承受较高的电流和电压,并且具有良好的热稳定性,适用于各种苛刻的工作环境。

    2. 技术参数


    以下是该N-Channel MOSFET的主要技术规格和性能参数:
    - 额定电压(VDS): 30 V
    - 最大漏源电压(VDS): 30 V
    - 连续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C 时: 8 A
    - TA = 25°C 时: 1 A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 200 A
    - 连续源漏二极管电流(IS):
    - TC = 25°C 时: 50 A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS): 94.8 mJ
    - 最大耗散功率(PD):
    - TC = 25°C 时: 100 W
    - 热阻抗:
    - 最大结至环境热阻(RthJA): 32 °C/W
    - 最大结至外壳热阻(RthJC): 0.5 °C/W

    3. 产品特点和优势


    该MOSFET具有以下显著的特点和优势:
    - 高性能TrenchFET®技术: 采用先进的沟槽技术,提供更低的导通电阻和更高的可靠性。
    - 全面测试: 所有器件均经过100%的栅极电阻(Rg)和雪崩(UIS)测试,确保质量稳定。
    - 环保认证: 符合RoHS指令2011/65/EU标准,适合绿色生产和应用。
    - 优异的热管理: 具备低热阻抗特性,能够在高温环境下保持高效运行。

    4. 应用案例和使用建议


    该N-Channel MOSFET适用于多种应用场景,如:
    - 服务器电源: 用于服务器电源模块中的功率转换,提高能效和稳定性。
    - OR-ing应用: 在多个电源系统间实现无缝切换,提高系统的可靠性和安全性。
    - 直流/直流转换器: 在不同电压等级之间进行高效转换,广泛应用于工业和通信设备。
    使用建议:
    - 散热设计: 确保适当的散热措施,避免过热导致器件失效。
    - 电路布局: 合理规划电路布局,减少寄生电容和电感的影响,提升整体性能。

    5. 兼容性和支持


    该产品与其他常见的电子元件和设备兼容性良好,便于集成到现有系统中。制造商提供了详尽的技术支持文档和在线咨询服务,用户可通过服务热线400-655-8788获取进一步的帮助和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何防止MOSFET过热?
    - A: 通过合理设计散热片和通风孔,增加散热效果。可以使用散热器或热管来帮助散热。
    - Q: 遇到漏电流过大怎么办?
    - A: 检查焊接质量和连接件,确认没有短路。适当降低工作电压和电流,以减少漏电流。
    - Q: 发现器件工作不稳定?
    - A: 检查驱动信号是否稳定,确保电压和电流在额定范围内。重新校准驱动电路,保证信号波形正确无误。

    7. 总结和推荐


    综上所述,N-Channel 30-V (D-S) MOSFET UTP45N02 是一款高性能的功率器件,具备优秀的性能指标和广泛的适用范围。它适用于需要高可靠性和稳定性的应用场景,如服务器电源和OR-ing应用。强烈推荐在需要高效和可靠的电力管理系统中使用此产品。

UTP45N02-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 70A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTP45N02-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTP45N02-VB数据手册

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UTP45N02-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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