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HFP6N60U-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: HFP6N60U-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HFP6N60U-VB

HFP6N60U-VB概述

    # HFP6N60U-VB 产品概述

    产品简介


    HFP6N60U-VB 是一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于多种电力转换应用。其独特的设计使其具有低门极电荷(Qg)和高可靠性的特点,适用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)及高速电力开关等应用。

    技术参数


    - 最高耐压(VDS): 600 V
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.780 Ω (VGS = 10 V)
    - 最大门极电荷(Qg max): 49 nC
    - 门极-源极电荷(Qgs): 13 nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd): 20 nC
    - 封装: TO-220AB
    - 绝对最大额定值:
    - 最大门极-源极电压(VGS): ±30 V
    - 持续漏极电流(ID): 8.0 A @ TC = 25 °C,5.8 A @ TC = 100 °C
    - 脉冲漏极电流(IDM): 37 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 290 mJ
    - 再现性雪崩电流(IAR): 8.0 A
    - 再现性雪崩能量(EAR): 17 mJ
    - 最大功率耗散(PD): 170 W
    - 最高峰逆向恢复电压变化率(dV/dt): 5.0 V/ns
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55 至 +150 °C

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷(Qg): 简化驱动要求。
    2. 改进的门极、雪崩和动态 dV/dt 的坚固性。
    3. 完全特征化的电容和雪崩电压、电流。
    4. 高可靠性: 改进的门极、雪崩和动态 dV/dt 的坚固性。
    5. 适用于多种拓扑结构的开关电源,如有源钳位正激变换器(Active Clamped Forward)。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关模式电源(SMPS): 在各种交流-直流转换应用中,HFP6N60U-VB 可以高效地控制电流和电压。
    - 不间断电源(UPS): 在需要不间断供电的场合,HFP6N60U-VB 可确保系统稳定运行。
    - 高速电力开关: 适合用于要求快速响应的应用场合。
    使用建议
    - 热管理: 由于 HFP6N60U-VB 的最高功率耗散为 170 W,需要良好的散热设计以避免过热。
    - 门极驱动: 为了简化驱动要求,可以选择具有较低阻抗的门极驱动器。
    - 测试电路: 在进行电容和雪崩特性的测试时,应参照相应的测试电路图(例如图10a 和 图10b)来配置实验。

    兼容性和支持


    - 兼容性: HFP6N60U-VB 可与其他常见的 N 沟道 MOSFET 设备兼容,适用于大多数标准电源拓扑结构。
    - 支持和维护: 厂商提供详细的技术手册和数据表,并在出现任何问题时提供技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 在高温环境下,MOSFET 的导通电阻是否会显著增加?
    - 解决方案: 可以通过参考图4中的“静态导通电阻随温度变化曲线”来了解具体的影响,从而在设计时采取适当的热管理措施。
    - 问题: 在高频率下工作的 MOSFET 是否会出现门极振荡?
    - 解决方案: 可以通过减少门极回路中的杂散电感和提高栅极驱动器的带宽来解决。

    总结和推荐


    HFP6N60U-VB 是一款具有出色性能和广泛适用性的 N 沟道 MOSFET。其低门极电荷和高可靠性使其成为开关电源、不间断电源和高速电力开关的理想选择。经过细致的热管理和合理的门极驱动设计,HFP6N60U-VB 能够满足苛刻的工作条件要求。强烈推荐此产品用于需要高性能电力转换的应用场合。

HFP6N60U-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 8A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

HFP6N60U-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HFP6N60U-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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HFP6N60U-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
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型号 价格(含增值税)
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