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UT3401ZG-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: UT3401ZG-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT3401ZG-AE3-R-VB

UT3401ZG-AE3-R-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30V (D-S) MOSFET 是一种高效的场效应晶体管(MOSFET),特别适用于移动计算领域的负载开关、笔记本适配器开关和直流/直流转换器。这款产品采用TrenchFET®技术,具有高效率和低导通电阻的特点,从而提高了整体系统能效。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏源击穿电压 | -30V |
    | 漏源导通电阻 | 0.046Ω(VGS=-10V)
    0.049Ω(VGS=-6V)
    0.054Ω(VGS=-4.5V) |
    | 最大连续漏电流 | -5.6A (TJ=150°C) |
    | 最大脉冲漏电流 | -18A |
    | 正向传输电容 | 1295pF |
    | 输出电容 | 150pF |
    | 反向传输电容 | 130pF |
    | 总栅极电荷 | 11.4~36nC |
    | 顶部封装 | TO-236 (SOT-23) |

    产品特点和优势


    1. 高效率:采用TrenchFET®技术,提供较低的导通电阻,有效降低功耗。
    2. 可靠的保护机制:100% Rg测试确保了器件在高电压下的可靠性。
    3. 应用广泛:适用于多种移动计算设备中的电源管理,如负载开关、适配器开关等。
    4. 快速开关性能:快速的上升时间和下降时间有助于提高系统的动态响应性能。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关:在负载开关的应用中,选择合适的栅极驱动电压(例如-10V)可以实现最佳的开关性能。
    - 笔记本适配器开关:推荐使用-10V的栅极电压以确保最大输出功率,同时注意散热设计,以避免过热。
    - DC/DC转换器:建议在高温环境下(例如TJ=125°C)测试,以验证产品的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:P-Channel 30V MOSFET 具有标准的SOT-23封装,易于与其他PCB组件兼容。
    - 技术支持:台湾VBsemi公司提供了全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中得到及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 如何测量MOSFET的导通电阻?
    - 使用万用表的欧姆档测量,将万用表的两个探针分别接触漏极和源极。正常情况下读数应在微欧级别。
    2. 在高电流环境下出现发热严重的情况怎么办?
    - 适当增加散热措施,如使用散热片或风扇加强散热。此外,优化电路设计以减少不必要的能量损耗。
    3. 如何避免反向电压损坏?
    - 确保在使用时正确连接电路,避免逆向电流通过。可添加肖特基二极管进行保护。

    总结和推荐


    P-Channel 30V MOSFET是一款高效、可靠的场效应晶体管,适用于各种移动计算设备的电源管理系统。其低导通电阻、高可靠性及快速开关性能使其成为市场上极具竞争力的产品。我们强烈推荐此款产品给需要高性能电源管理解决方案的设计工程师们。
    通过以上技术参数和使用建议的详细介绍,相信您已经对P-Channel 30V MOSFET有了全面了解。如果您有任何进一步的问题或需求,欢迎联系我们的服务热线:400-655-8788。

UT3401ZG-AE3-R-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 5.6A
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT3401ZG-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT3401ZG-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT3401ZG-AE3-R-VB UT3401ZG-AE3-R-VB数据手册

UT3401ZG-AE3-R-VB封装设计

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500+ ¥ 0.3105
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