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K3984-ZK-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,25A,RDS(ON),55mΩ@10V,57mΩ@4.5V,73mΩ@2.5V,20Vgs(±V);1.4Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: K3984-ZK-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3984-ZK-VB

K3984-ZK-VB概述

    N-Channel 100 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 100 V MOSFET 是一种高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),采用TrenchFET® 技术,主要用于电源转换中的开关操作。这类产品广泛应用于电源管理、直流-直流转换器、电机驱动器以及各种工业控制应用中。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):100 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 连续漏极电流(TJ = 175 °C):
    - TC = 25 °C:25 A
    - TC = 70 °C:20 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):75 A
    - 连续源漏二极管电流(TC = 25 °C):50 A
    - 单脉冲雪崩电流(L = 0.1 mH):33 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):55 mJ
    - 最大功耗(TC = 25 °C):83 W
    - 最大功耗(TC = 70 °C):58 W
    - 工作结温和存储温度范围:-55 至 +175 °C
    - 热阻:
    - 最大结至环境热阻(t ≤ 10 s):15 °C/W(典型值)
    - 最大结至外壳热阻(稳态):1.5 °C/W
    - 开关特性:
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10 V,ID:0.055 Ω
    - VGS = 4.5 V,ID:0.057 Ω
    - 输入电容(Ciss):1800 pF(VDS = 12 V,VGS = 0 V,f = 1 MHz)
    - 输出电容(Coss):180 pF
    - 门极电荷(Qg):10 nC(VDS = 50 V,VGS = 10 V,ID = 12 A)

    产品特点和优势


    - 高效能:采用TrenchFET® 技术,实现了更低的导通电阻(RDS(on)),有助于提高电路的整体效率。
    - 高可靠性:通过100% UIS测试验证,确保在极端条件下也能稳定运行。
    - 宽温度范围:工作温度范围从-55 °C到+175 °C,适用于严苛的工作环境。
    - 高击穿电压:漏源击穿电压达到100 V,适用于需要较高电压的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 主要侧开关
    - 电源适配器
    - 灯光驱动器
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应考虑散热措施,以避免热失控。
    - 使用前需确保栅极电压不超过±20 V,以保护器件不受损坏。
    - 在进行快速开关操作时,应注意控制脉冲宽度和频率,避免过高的损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 该产品适用于标准的DPAK封装,可直接焊接在FR4基板上。
    - 与其他常用的电源管理器件具有良好的兼容性。
    - 支持和服务:
    - 厂商提供技术支持,可在官方网站下载最新的技术文档和设计指南。
    - 针对客户的特定需求,提供定制化的解决方案和技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定MOSFET的最大工作温度?
    - 解决方案:查阅手册中的绝对最大额定值,查看工作结温和存储温度范围。确保工作温度不超过175 °C。
    - 问题2:如果发现功耗异常高,应该如何排查?
    - 解决方案:检查散热是否足够,确认周围环境温度,同时检查电路中的电流和电压是否正常。

    总结和推荐


    总体而言,这款N-Channel 100 V MOSFET具备高效的性能和可靠的特性,非常适合用于需要高可靠性的电源管理和工业控制系统。它在高温环境下的表现尤为出色,且具备优秀的热稳定性。如果您正在寻找一款高效稳定的MOSFET,这款产品无疑是一个值得推荐的选择。

K3984-ZK-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 55mΩ@10V,57mΩ@4.5V,73mΩ@2.5V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 25A
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.4V
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3984-ZK-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3984-ZK-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3984-ZK-VB K3984-ZK-VB数据手册

K3984-ZK-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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