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FDD770N15A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,25A,RDS(ON),70mΩ@10V,87mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: FDD770N15A-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDD770N15A-VB

FDD770N15A-VB概述

    FDD770N15A N-Channel 150 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDD770N15A 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,适用于多种电路设计。其主要功能是在开关电源中作为初级侧开关使用。这种 MOSFET 具备极低的栅极电荷(Qgd),从而减少开关损耗。它符合 RoHS 指令和无卤素要求,能够在各种工业和消费电子产品中找到其应用。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):150 V
    - 最大连续漏电流(ID):25.4 A(TC = 25 °C)
    - 最大脉冲漏电流(IDM):50 A
    - 最大结点温度(TJ):150 °C
    - 最大功率耗散(PD):5.9 W(TC = 25 °C)
    详细参数如下表所示:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 静态特性
    | 漏源击穿电压 | VDS | 1 10 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.5 | 3.0 V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | 1 10 | V |
    | 导通漏电流 | ID(on) | 30 A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.074| 0.077 Ω |
    | 动态特性
    | 输入电容 | Ciss | 1735 pF |
    | 输出电容 | Coss | 160 pF |
    | 反向转移电容 | Crss | 37 |

    产品特点和优势


    - 极低的Qgd:减少开关损耗,提高效率。
    - 100% 测试:所有产品均通过栅极电阻测试和雪崩耐久性测试。
    - RoHS 合规:符合欧盟 RoHS 标准。
    - 无卤素材料:满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    FDD770N15A 常用于开关电源的设计中,例如在计算机电源、LED 驱动器和其他需要高效率开关的应用中。建议在设计中考虑散热措施以确保长时间稳定运行。

    兼容性和支持


    FDD770N15A 尺寸为 TO-252 封装,适用于广泛的 PCB 布局。制造商提供全面的技术支持,包括详细的安装指南和技术文档,帮助用户快速部署和调试产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何处理过热?
    A: 使用散热片或强制通风来降低结温。

    - Q: 如何检测故障?
    A: 使用万用表检查漏电流和导通电阻,确保在正常范围内。

    - Q: 如何正确焊接?
    A: 确保焊接温度不超过规定范围,并在适当的温度下进行焊接。

    总结和推荐


    综上所述,FDD770N15A MOSFET 在性能和可靠性方面表现出色,具有极低的开关损耗和高效能,非常适合用于开关电源及其他高效率应用。我们强烈推荐这一产品,特别是对于对低损耗和高可靠性有严格要求的应用场合。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com

FDD770N15A-VB参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 150V
Rds(On)-漏源导通电阻 70mΩ@10V,87mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 25A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDD770N15A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDD770N15A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDD770N15A-VB FDD770N15A-VB数据手册

FDD770N15A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.7215
100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.3183
2500+ ¥ 2.2174
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