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6R1K4C6-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: 6R1K4C6-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6R1K4C6-VB

6R1K4C6-VB概述

    N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    本文介绍了VBsemi公司生产的N-Channel MOSFET,这是一种高性能的功率开关晶体管,适用于多种应用领域。该产品具有低门极电荷、高耐压能力和优化的栅极和雪崩耐久性等特点,使其成为高效能电力转换系统中的理想选择。

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDS): 650V
    - 导通电阻(RDS(on)): 在VGS = 10V时为0.95Ω
    - 总栅极电荷(Qg): 最大值为15nC
    - 栅源电荷(Qgs): 3nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 6nC
    - 封装形式: TO-220AB、TO-252等
    - 连续漏电流(ID): TC = 25°C时为5A,TC = 100°C时为4A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 120mJ
    - 重复雪崩电流(IAR): 34A
    - 最大功耗(PD): TC = 25°C时为205W
    - 工作温度范围: 结温及存储温度范围为-55°C至+150°C
    - 其他特性: 符合RoHS指令2002/95/EC,具备良好的栅极和雪崩耐久性,完全校准的电容和雪崩电压电流。

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷(Qg): 减少了驱动要求,使电路设计更加简单。
    - 改善的栅极、雪崩和动态dv/dt坚固性: 提高了器件在高电压和高频率应用中的可靠性。
    - 全面校准的电容和雪崩电压电流: 确保在各种条件下的性能一致性。
    - RoHS合规: 满足环保标准,便于全球销售和应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 此类MOSFET常用于电源转换、电机控制和照明系统等领域。
    - 使用建议: 为了确保最佳性能,应在设计时考虑散热措施,避免过热情况。同时,注意门极驱动信号的质量,避免由于信号噪声导致的误触发。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品可与各种常见的电源转换器和驱动电路配合使用,适用于多种封装类型。
    - 支持: 厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括设计指南、应用笔记和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 高温下器件损坏。
    - 解决方案: 使用适当的散热措施,如散热片或散热风扇,确保工作温度在安全范围内。
    - 问题2: 高频应用时,门极电荷过高导致驱动困难。
    - 解决方案: 选用低栅极电荷的产品,或者使用驱动电路优化门极驱动信号。

    7. 总结和推荐


    综上所述,VBsemi公司的N-Channel MOSFET凭借其优秀的电气特性和广泛的应用范围,是一款值得推荐的产品。特别是在需要高效、可靠电力转换的应用中,该产品能够提供出色的性能。无论是设计新手还是经验丰富的工程师,都能从这款产品的多功能性和易用性中获益。因此,强烈推荐在合适的项目中采用这款MOSFET。

6R1K4C6-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 5A
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

6R1K4C6-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6R1K4C6-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6R1K4C6-VB 6R1K4C6-VB数据手册

6R1K4C6-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
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