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NCE1512IA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,30A,RDS(ON),56mΩ@10V,20Vgs(±V);3.3Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: NCE1512IA-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE1512IA-VB

NCE1512IA-VB概述

    NCE1512IA N-Channel 200V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NCE1512IA 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有优异的热稳定性和高可靠性。这款 MOSFET 主要应用于电力转换和控制电路,如开关电源、电机驱动和逆变器等场合。其关键特性包括低导通电阻(RDS(on))、高阈值电压和快速开关性能,使其在多种高压应用中表现出色。

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDS):200V
    - 最大栅极-源极电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C:25A
    - TC = 125°C:17A
    - 脉冲漏极电流(IDM):60A
    - 最大功率耗散(PD):
    - TC = 25°C:145W
    - TA = 25°C:3.5W
    - 热阻(RthJA):15-18°C/W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 175°C

    3. 产品特点和优势


    NCE1512IA 具有以下显著特点和优势:
    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽技术,保证了高效率和低损耗。
    - 高温稳定性:能够在高达 175°C 的结温下正常工作。
    - PWM 优化设计:适用于脉宽调制控制,提高系统的可靠性和响应速度。
    - 100% Rg 测试:确保每只器件都经过严格的栅极电阻测试,提高产品的品质。
    - 符合 RoHS 指令:环保且无害,满足欧盟相关法规要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:作为主侧开关管,用于转换器的初级侧。
    - 电机驱动:实现高效的电机控制。
    - 逆变器:用于各种交流和直流电转换场合。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应充分考虑散热措施,以确保器件在高功率工作条件下的安全运行。
    - 在选择 MOSFET 的时候,要特别注意其 VDS 和 ID 参数,以匹配具体的应用需求。
    - 在使用过程中,确保 VGS 不超过 ±20V 的极限值,防止器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与其他标准封装的 MOSFET 基本兼容,便于替换和升级。
    - 支持服务:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够顺利使用该产品。如有任何疑问,可以随时联系台湾 VBsemi 客服团队(服务热线:400-655-8788)。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高频工作条件下,器件发热严重。
    - 解决方案:增加散热器或采用强制风冷措施,优化散热设计。

    - 问题2:栅极充电时间较长,影响系统响应速度。
    - 解决方案:适当减小栅极电阻(Rg),缩短开关时间。
    - 问题3:频繁短路导致器件损坏。
    - 解决方案:在电路设计中增加保护措施,如限流电阻或保险丝。

    7. 总结和推荐


    总体来说,NCE1512IA 是一款优秀的 N 沟道 200V MOSFET,具有优异的性能和可靠性。其独特的 TrenchFET® 技术、高耐温能力和 PWM 优化设计使其非常适合在高压和高频应用中使用。如果你需要一个高效、可靠的 MOSFET 来应对严苛的工作环境,NCE1512IA 是一个不错的选择。
    综上所述,强烈推荐 NCE1512IA 用于各种电力电子应用中。

NCE1512IA-VB参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.3V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 30A
Vds-漏源极击穿电压 200V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 56mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NCE1512IA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE1512IA-VB数据手册

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NCE1512IA-VB封装设计

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