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IRL1404ZSPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: IRL1404ZSPBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRL1404ZSPBF-VB

IRL1404ZSPBF-VB概述

    IRL1404ZSPBF-VB 技术手册

    产品简介


    IRL1404ZSPBF-VB 是一款高性能的 N 沟道 40V(D-S)MOSFET 电子元器件,专为同步整流和电源供应设计。它采用先进的 TrenchFET® 技术,适用于各种高要求的应用场合。此产品具备低导通电阻、高连续漏极电流和低栅极电荷等特性,能够在广泛的温度范围内稳定运行。

    技术参数


    以下是 IRL1404ZSPBF-VB 的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 45 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±25 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 120 | - | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 380 | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 320 | mJ |
    | 雪崩电流脉冲 | IA | - | - | 80 | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.0017 | 0.0025 | Ω |
    | 输入电容 | CISS | - | - | 9000 | pF |
    | 输出电容 | COSS | - | - | 650 | pF |
    | 门电容 | CRSS | - | - | 450 | pF |
    | 总门电荷 | QG | - | 120 | 180 | nC |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:在 10V 时的典型导通电阻为 0.0017Ω,在 4.5V 时为 0.0025Ω。
    - 高连续漏极电流:在 25°C 时可达 120A。
    - 先进的 TrenchFET® 技术:提供更高的效率和更少的功耗。
    - 良好的温度稳定性:可在广泛的温度范围(-55°C 至 150°C)内稳定工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    IRL1404ZSPBF-VB 在电源管理、逆变器、电机驱动等领域有着广泛的应用。例如,作为同步整流器,它可以显著提高电源转换效率。
    使用建议:
    - 散热管理:由于器件的功率耗散较大,建议在使用过程中采取有效的散热措施,如加装散热片或散热器。
    - 电路布局:为了降低寄生效应,建议在电路板设计时将 MOSFET 尽可能靠近负载。

    兼容性和支持


    IRL1404ZSPBF-VB 支持广泛的电压和电流范围,兼容大多数常见的电源和控制电路。厂商提供详细的技术支持文档和客户服务热线(400-655-8788),帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何选择合适的散热措施?
    解答:根据功率耗散计算所需的散热面积,选择合适的散热器。可以参考厂商提供的热阻数据。

    - 问题:如何确保电路的安全运行?
    解答:确保电路中各元件的额定值符合器件的工作条件,避免过载运行。

    总结和推荐


    IRL1404ZSPBF-VB 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,具有低导通电阻、高连续漏极电流和良好的温度稳定性等特点。它适用于多种高要求的应用场合,如电源管理和电机驱动系统。建议在需要高效和可靠的电力转换应用中优先考虑使用 IRL1404ZSPBF-VB。

IRL1404ZSPBF-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 180A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRL1404ZSPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRL1404ZSPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRL1404ZSPBF-VB IRL1404ZSPBF-VB数据手册

IRL1404ZSPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.247
100+ ¥ 4.8584
500+ ¥ 4.664
800+ ¥ 4.4697
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