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2SK3767_06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 2SK3767_06-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3767_06-VB

2SK3767_06-VB概述

    2SK376706-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    2SK376706-VB 是一种高可靠性、高性能的N沟道650V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它广泛应用于工业控制、电源管理、电机驱动等领域。这款MOSFET具有低门极电荷、增强的门极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性,适用于要求高效能和高可靠性的应用场合。

    2. 技术参数


    - 主要参数:
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 650V
    - 最大连续漏电流 \( ID \): 1.28A @ 100°C
    - 最大门极电压 \( V{GS} \): ±30V
    - 重复雪崩能量 \( E{AS} \): 165mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \): 25W @ 25°C
    - 静态参数:
    - 门极-源极阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0V ~ 4.0V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 4.0Ω @ 10V
    - 动态参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1000pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 26pF
    - 有效输出电容 \( C{oss \text{eff}} \): 26pF
    - 其他参数:
    - 雪崩测试条件:\(\Delta V{DS}\) 温度系数为 -670mV/°C @ 25°C
    - 正向二极管恢复时间 \( t{rr} \): 180ns @ 25°C
    - 转换电容 \( C{rss} \): 5pF
    - 总门极电荷 \( Qg \): 11nC

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷:减少了驱动电路的设计复杂度和功耗。
    - 增强的鲁棒性:在门极、雪崩和动态dv/dt方面表现出色。
    - 全面的电容和雪崩特性:包括门极-源极电容 \( C{oss} \)、门极-漏极电容 \( C{rss} \) 和漏极-源极电容 \( C{oss \text{eff}} \),确保了器件的可靠性和稳定性。
    - 符合RoHS标准:符合欧盟RoHS指令2002/95/EC,适用于环保要求较高的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 工业控制设备中的电机驱动
    - 高频开关电源转换器
    - 电动汽车充电站
    - 使用建议:
    - 确保MOSFET的工作温度在规定范围内,以避免过热损坏。
    - 使用适当的驱动电路来减少门极电荷,从而降低功耗。
    - 在设计电路时要考虑到MOSFET的寄生电容对高频信号的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于各种常见的驱动电路设计,且易于与其他标准元件集成。
    - 厂商支持:提供详尽的技术文档和应用指南,用户可以通过400-655-8788服务热线获取技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:漏电流过大导致过热
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或散热风扇。
    - 问题2:启动时出现异常电流波动
    - 解决方案:检查驱动电路的门极电阻设置,适当调整以稳定驱动信号。

    7. 总结和推荐


    2SK376706-VB N-Channel 650V Power MOSFET以其出色的性能和可靠性成为多种应用场合的理想选择。其低门极电荷和增强的鲁棒性使其在工业控制和电源管理等领域表现优异。总体而言,这款MOSFET值得高度推荐,尤其适用于需要高可靠性和高效能的应用场景。

2SK3767_06-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 2A
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK3767_06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3767_06-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3767_06-VB 2SK3767_06-VB数据手册

2SK3767_06-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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型号 价格(含增值税)
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