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FCD5N60TM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: FCD5N60TM-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FCD5N60TM-VB

FCD5N60TM-VB概述

    FCD5N60TM Power MOSFET 产品技术手册

    产品简介


    FCD5N60TM 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于多种高要求的应用场景。这款器件以其低导通电阻(Ron)和低栅极电荷(Qg)的特点著称,适用于服务器、电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)和照明系统等领域。无论是高强度放电灯(HID)还是荧光灯的球管,FCD5N60TM 都能够提供卓越的性能。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压(最大值) | 650 V |
    | 导通电阻(最大值) | 0.7 Ω @ 10 V |
    | 栅源阈值电压 | 2 - 4 V |
    | 输入电容 | Ciss = 147 pF |
    | 栅极电荷 | Qg = 30 nC |
    | 节点温度范围 | -55°C 至 +150°C |
    | 最大功耗 | 94 W |

    产品特点和优势


    FCD5N60TM 具备以下显著特点和优势:
    - 低功耗:具备低导通电阻(Ron)和低栅极电荷(Qg),从而降低了开关和传导损耗。
    - 高速开关:输入电容低,能够实现更快的开关速度。
    - 耐用性强:具有出色的重复额定值,脉冲宽度受最高结温限制。
    - 可靠性高:经过优化设计,能够在极端工作条件下保持稳定性能。

    应用案例和使用建议


    FCD5N60TM 广泛应用于多个领域,具体如下:
    - 服务器和电信电源:确保高效能的电源管理。
    - 照明系统:适用于高强度放电灯(HID)和荧光灯。
    - 工业设备:在各种工业环境中稳定工作。
    使用建议:
    - 在接线时要注意电路板的布局,以减少寄生电感和漏电流。
    - 推荐使用大面积的接地平面,以提高散热效果。
    - 当进行大电流负载切换时,要特别注意保护栅极,避免过高的dv/dt导致损坏。

    兼容性和支持


    FCD5N60TM 与标准的TO-220AB、TO-252和TO-251封装兼容,能够方便地集成到现有电路设计中。厂商提供了详细的技术支持和售后服务,可以通过服务热线 400-655-8788 获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 电路发热严重 | 改善散热设计,增加散热片。 |
    | 开关速度慢 | 优化驱动电路,减小栅极电阻。 |
    | 导通电阻过大 | 确认工作电压是否正确,检查接线。 |

    总结和推荐


    FCD5N60TM 是一款高可靠性的功率MOSFET,适用于多种高要求的电源和控制系统。它的低导通电阻和低栅极电荷特性使其成为各种应用的理想选择。考虑到其卓越的性能和广泛的应用范围,强烈推荐使用此产品。
    通过以上详细介绍,我们希望读者能够全面了解FCD5N60TM MOSFET的功能和性能,为其在实际应用中的选择提供有力的支持。如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,请联系我们的服务热线 400-655-8788。

FCD5N60TM-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 7A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FCD5N60TM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FCD5N60TM-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FCD5N60TM-VB FCD5N60TM-VB数据手册

FCD5N60TM-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
2500+ ¥ 3.1672
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型号 价格(含增值税)
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