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NTB60N06LG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263\n由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
供应商型号: NTB60N06LG-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTB60N06LG-VB

NTB60N06LG-VB概述

    NTB60N06LG N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTB60N06LG 是一种 N-Channel 60V(D-S)功率 MOSFET,适用于高压电源管理、电机控制和其他需要高效电能转换的应用。该器件具有低导通电阻(RDS(on)),高耐温性能和卓越的开关特性,能够在高温环境下稳定运行。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 持续漏极电流(TJ = 175°C):75A(TC = 25°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):200A
    - 漏极-源极击穿电压(VDS):60V
    - 最大功耗(TC = 25°C):136W
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 175°C
    - 静态参数
    - 导通电阻(RDS(on),VGS = 10V):11mΩ
    - 导通电阻(RDS(on),VGS = 4.5V):12mΩ
    - 零栅源电压漏极电流(IDSS,VDS = 60V,VGS = 0V,TJ = 175°C):250µA
    - 输入电容(Ciss,VGS = 0V,VDS = 25V,f = 1MHz):4300pF
    - 热阻抗
    - 最大结到环境热阻(RthJA,t ≤ 10s):15°C/W
    - 稳态最大结到环境热阻(RthJA):40°C/W
    - 最大结到外壳热阻(RthJC):0.85°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 175°C 耐温性:适用于高温环境下的电力系统。
    - TrenchFET® 功率 MOSFET:具有低导通电阻和高效的开关特性。
    - 高耐压能力:最高击穿电压可达 60V。
    - 低导通电阻:提供较低的导通电阻,降低功耗。
    - 优异的热性能:具有良好的散热设计,确保长时间稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于电动汽车充电站、太阳能逆变器、电机驱动控制器等高压电源管理系统。
    - 使用建议:在高电流应用中,确保电路设计能够承受瞬间脉冲电流;在高温环境下使用时,注意散热措施,避免过热导致的损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NTB60N06LG 与常见的电源管理 IC 和控制器板兼容。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和客户支持服务,包括在线技术支持和故障排除指南。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:漏极电流过高导致器件损坏。
    - 解决方案:确保负载电流在安全范围内,避免过载。
    - 问题2:器件在高温下出现异常。
    - 解决方案:增加散热片或采用水冷散热,保持工作温度在安全范围内。
    - 问题3:无法正常开启或关闭。
    - 解决方案:检查栅极驱动电路是否正确连接,确保栅极电压达到阈值。

    7. 总结和推荐


    NTB60N06LG N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET,适用于高压电源管理和电机控制等应用。其低导通电阻、高耐温性和优秀的热性能使其在多种高压环境中表现出色。强烈推荐在需要高压高效转换的应用中使用该器件。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)
    本篇文章根据 VBsemi 的技术手册编写,旨在为工程师和技术人员提供全面的产品信息和使用指导。

NTB60N06LG-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 75A
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,12mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTB60N06LG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTB60N06LG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTB60N06LG-VB NTB60N06LG-VB数据手册

NTB60N06LG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
800+ ¥ 2.9798
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