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BUK553-100A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n100V,18A,RDS(ON),127mΩ@10V,132mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220\n一款单N沟道功率MOSFET,适用于多种低功率功率电子应用。具有高性能和可靠性,特别适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: BUK553-100A-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) BUK553-100A-VB

BUK553-100A-VB概述

    # BUK553-100A-VB 技术手册概述

    产品简介


    基本介绍
    BUK553-100A-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种工业应用。其主要特点是高耐压(高达100V)、低导通电阻和高可靠性。BUK553-100A-VB 采用了先进的TrenchFET®技术,能够满足严苛的工作环境要求,并广泛应用于隔离式DC/DC转换器等领域。
    主要功能
    - 高耐压(100V)
    - 低导通电阻(典型值为0.127Ω)
    - 高温工作能力(最高可达175°C)
    应用领域
    - 隔离式DC/DC转换器
    - 电源管理系统
    - 其他需要高压开关的应用

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 100V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 持续漏电流 \( ID \): 18A(\( TJ \)= 25°C),15A(\( TJ \)= 125°C)
    - 单脉冲雪崩电流 \( IA \): 18A
    - 雪崩能量 \( E{AS} \): 200mJ
    工作环境
    - 最大功率耗散:3.75W(\( TA \)= 25°C),3.75W(\( TJ \)= 25°C)
    - 工作温度范围:-55°C 到 175°C
    热阻参数
    - 结点到环境热阻 \( R{thJA} \): 40°C/W
    - 结点到外壳热阻 \( R{thJC} \): 0.4°C/W

    产品特点和优势


    特点
    - TrenchFET® Power MOSFET: 采用先进的沟槽技术,提高器件的可靠性和性能。
    - 高温工作能力: 可在175°C的极端环境下稳定工作。
    - 低热阻: 优异的热管理性能,保证长期稳定运行。
    - 100%测试: 所有产品均通过严格的质量检测。
    优势
    - 高可靠性: 采用高标准制造工艺,确保长期使用中的稳定性。
    - 高效率: 低导通电阻和优良的热性能显著提升系统的整体效率。
    - 多功能应用: 广泛适用于各种高压和高温环境下的电力电子系统。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    - 在隔离式DC/DC转换器中作为主要开关元件。
    - 用于电源管理系统中的直流电压转换和控制。
    使用建议
    - 散热设计: 由于其较高的工作电流,建议使用散热片或散热器以保持器件温度在安全范围内。
    - 驱动电路: 推荐使用适当的栅极驱动电路以避免过高的瞬态电压对器件造成损坏。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与标准的TO-220封装兼容,易于安装和更换。
    支持和服务
    - 提供详尽的技术资料和售后服务,客户可通过官方热线400-655-8788获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 器件过热:可能是因为散热不足导致。
    2. 启动延迟:可能与驱动电路设计有关。
    解决方案
    1. 过热:增加散热措施,如加装散热片。
    2. 启动延迟:检查并调整驱动电路,确保合适的栅极驱动信号。

    总结和推荐


    综合评估
    BUK553-100A-VB 是一款优秀的高压N沟道MOSFET,具备高可靠性、低功耗和广泛的适用范围。其在高温工作能力和卓越的热管理方面表现出色,适合于需要高电压和高可靠性的电力电子应用。
    推荐使用
    鉴于其出色的性能和广泛应用性,强烈推荐在高压、高温环境下的DC/DC转换器和其他电力电子系统中使用该产品。对于需要高效能和高可靠性的用户来说,这是一个理想的选择。

BUK553-100A-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 127mΩ@10V,132mΩ@4.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 18A
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

BUK553-100A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

BUK553-100A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 BUK553-100A-VB BUK553-100A-VB数据手册

BUK553-100A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
库存: 400000
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