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2SK3766-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: 2SK3766-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3766-VB

2SK3766-VB概述

    2SK3766-VB N-Channel 650V MOSFET 技术手册

    产品简介


    2SK3766-VB 是一款高性能的 N 沟道 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压和大电流的应用场景。它广泛应用于电源转换、电机驱动、工业控制、汽车电子等领域。

    技术参数


    - 主要参数:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 650 V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0 V 至 4.0 V
    - 零栅源电压漏极电流 \( I{DSS} \): 25 μA @ V{DS} = 650 V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 2.5 Ω @ V{GS} = 10 V
    - 动态参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 80 pF @ V{GS} = 0 V, V{DS} = 25 V
    - 输出电容 \( C{oss} \): 1912 pF @ V{DS} = 1.0 V, f = 1.0 MHz
    - 有效输出电容 \( C{oss\ eff} \): 84 pF @ V{DS} = 0 V 至 520 V
    - 电气特性:
    - 最大持续漏极电流 \( ID \): 3.8 A @ TC = 100 °C
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 18 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 325 mJ
    - 工作结温范围 \( TJ \): -55 °C 至 +150 °C

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷 \( Qg \):这减少了驱动要求,使得该 MOSFET 更容易驱动。
    - 增强的栅极、雪崩和动态 \( dV/dt \) 耐受性:提高了整体耐用性和可靠性。
    - 全面表征的电容和雪崩电压及电流:提供了精确的电气特性数据,确保在各种条件下的稳定性能。
    - 符合 RoHS 指令:确保环保合规,满足国际环保标准。

    应用案例和使用建议


    2SK3766-VB MOSFET 可用于多种应用场景,例如:
    - 电源转换:适用于需要高电压和高电流的开关电源。
    - 电机驱动:适合于驱动各类电动机,如直流电机和步进电机。
    - 工业控制:可用于自动化设备中的开关控制。
    使用建议:
    - 在设计时要确保 PCB 布局的低杂散电感,以减少开关过程中的过电压现象。
    - 使用大接地平面来提高散热效率。
    - 验证驱动电路与 MOSFET 的匹配性,以确保最优的性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:2SK3766-VB MOSFET 与市场上大多数标准电路板兼容,易于集成。
    - 技术支持:台湾VBsemi提供详细的技术文档和在线支持,帮助客户解决问题和优化应用。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:驱动电压不正确,导致 MOSFET 无法正常工作。
    - 解决方法:检查并调整驱动电压,确保其符合 MOSFET 的阈值电压范围。
    - 问题2:温度过高导致 MOSFET 失效。
    - 解决方法:改善散热设计,如增加散热片或风扇,确保工作温度在安全范围内。

    总结和推荐


    综上所述,2SK3766-VB N 沟道 650V MOSFET 在各方面都表现出色,具有低栅极电荷、高耐压能力和卓越的动态特性。其广泛应用在高电压和大电流场合,能够显著提升系统的性能和可靠性。对于需要高性能 MOSFET 的应用场景,强烈推荐使用 2SK3766-VB。
    如需进一步咨询或获取更多技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

2SK3766-VB参数

参数
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK3766-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3766-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3766-VB 2SK3766-VB数据手册

2SK3766-VB封装设计

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